Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2011108685 - CELLULE SOLAIRE EN COUCHE MINCE COMPOSITE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2011/108685
Date de publication 09.09.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2011/055024
Date du dépôt international 04.03.2011
CIB
H01L 31/0749 2012.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
06caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
072les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
0749incluant un composé AIBIIICVI, p.ex. cellules solaires à hétérojonctions CdS/CuInSe2
CPC
H01L 31/0749
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
072the potential barriers being only of the PN heterojunction type
0749including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
Y02E 10/541
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
541CuInSe2 material PV cells
Y02P 70/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
70Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Déposants
  • 株式会社 東芝 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 中川直之 NAKAGAWA, Naoyuki (UsOnly)
  • 桜田新哉 SAKURADA, Shinya (UsOnly)
  • 西田靖孝 NISHIDA, Yasutaka (UsOnly)
  • 伊藤聡 ITOH, Satoshi (UsOnly)
  • 稲葉道彦 INABA, Michihiko (UsOnly)
Inventeurs
  • 中川直之 NAKAGAWA, Naoyuki
  • 桜田新哉 SAKURADA, Shinya
  • 西田靖孝 NISHIDA, Yasutaka
  • 伊藤聡 ITOH, Satoshi
  • 稲葉道彦 INABA, Michihiko
Mandataires
  • 池上徹真 IKEGAMI, Tetsuma
Données relatives à la priorité
2010-04989905.03.2010JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) COMPOUND THIN-FILM SOLAR CELL AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE EN COUCHE MINCE COMPOSITE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 化合物薄膜太陽電池とその製造方法
Abrégé
(EN) In order to increase the quality/life or the conversion efficiency of the disclosed compound thin-film solar cell, and increase the performance of the compound thin-film solar cell, the compound thin-film solar cell (100) is characterized by: a light absorption layer and a buffer layer forming a bonded interface; the buffer layer forming the bonded interface with the aforementioned light absorption layer being a compound having a crystal structure of either a defect spinel structure, a wurtzite structure, or a zincblende structure containing at least one element selected from the group consisting of Cd, Zn, In, and Ga, and at least one element selected from the group consisting of S, Se, and Te; and the lattice constant (a) of the buffer layer having the zincblende structure or the lattice constant (a) of the aforementioned buffer layer when the wurtzite structure or the defect spinel structure is converted to the zincblende structure being between 0.59 nm and 0.62 nm inclusive.
(FR) Afin d'augmenter la qualité/la durée de vie ou le rendement de conversion de la cellule solaire en couche mince composite, et d'augmenter la performance de la cellule solaire en couche mince composite, la cellule solaire en couche mince composite (100) est caractérisée par : une couche d'absorption de lumière et une couche tampon formant une interface liée ; la couche tampon formant l'interface liée avec la couche d'absorption de lumière précitée étant un composé ayant une structure cristalline soit d'une structure à spinelle à défaut, soit d'une structure de wurtzite, soit d'une structure de zincblende contenant au moins un élément choisi dans le groupe constitué de Cd, Zn, In et Ga, et au moins un élément choisi dans le groupe constitué de S, Se et Te ; et la constante de réseau (a) de la couche tampon ayant la structure de zincblende ou la constante de réseau (a) de la couche tampon précitée lorsque la structure de wurtzite ou la structure de spinelle à défaut est convertie en la structure de zincblende étant entre 0,59 nm et 0,62 nm inclus.
(JA) 【課題】 化合物薄膜太陽電池の変換効率又は品質寿命を向上させ、化合物薄膜太陽電池の性能を向上させる。 【解決手段】 化合物薄膜太陽電池100は光吸収層とバッファー層が接合界面を形成し、前記光吸収層と接合界面を形成するバッファー層が、Cd,Zn,In及びGaからなる群から選ばれる少なくとも1つの元素と、S,Se及びTeからからなる群から選ばれる少なくとも1つの元素とを含む閃亜鉛鉱型構造、ウルツ鉱構造或いは欠陥スピネル型構造のいずれかの結晶構造を有する化合物であり、閃亜鉛構造のバッファー層の格子定数a又はウルツ鉱構造或いは欠陥スピネル型構造を閃亜鉛鉱型構造に変換した時の前記バッファー層の格子定数aが、0.59nm以上0.62nm以下であることを特徴とする。
Documents de brevet associés
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international