(EN) In order to increase the quality/life or the conversion efficiency of the disclosed compound thin-film solar cell, and increase the performance of the compound thin-film solar cell, the compound thin-film solar cell (100) is characterized by: a light absorption layer and a buffer layer forming a bonded interface; the buffer layer forming the bonded interface with the aforementioned light absorption layer being a compound having a crystal structure of either a defect spinel structure, a wurtzite structure, or a zincblende structure containing at least one element selected from the group consisting of Cd, Zn, In, and Ga, and at least one element selected from the group consisting of S, Se, and Te; and the lattice constant (a) of the buffer layer having the zincblende structure or the lattice constant (a) of the aforementioned buffer layer when the wurtzite structure or the defect spinel structure is converted to the zincblende structure being between 0.59 nm and 0.62 nm inclusive.
(FR) Afin d'augmenter la qualité/la durée de vie ou le rendement de conversion de la cellule solaire en couche mince composite, et d'augmenter la performance de la cellule solaire en couche mince composite, la cellule solaire en couche mince composite (100) est caractérisée par : une couche d'absorption de lumière et une couche tampon formant une interface liée ; la couche tampon formant l'interface liée avec la couche d'absorption de lumière précitée étant un composé ayant une structure cristalline soit d'une structure à spinelle à défaut, soit d'une structure de wurtzite, soit d'une structure de zincblende contenant au moins un élément choisi dans le groupe constitué de Cd, Zn, In et Ga, et au moins un élément choisi dans le groupe constitué de S, Se et Te ; et la constante de réseau (a) de la couche tampon ayant la structure de zincblende ou la constante de réseau (a) de la couche tampon précitée lorsque la structure de wurtzite ou la structure de spinelle à défaut est convertie en la structure de zincblende étant entre 0,59 nm et 0,62 nm inclus.
(JA) 【課題】 化合物薄膜太陽電池の変換効率又は品質寿命を向上させ、化合物薄膜太陽電池の性能を向上させる。 【解決手段】 化合物薄膜太陽電池１００は光吸収層とバッファー層が接合界面を形成し、前記光吸収層と接合界面を形成するバッファー層が、Ｃｄ，Ｚｎ，Ｉｎ及びＧａからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素と、Ｓ，Ｓｅ及びＴｅからからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素とを含む閃亜鉛鉱型構造、ウルツ鉱構造或いは欠陥スピネル型構造のいずれかの結晶構造を有する化合物であり、閃亜鉛構造のバッファー層の格子定数ａ又はウルツ鉱構造或いは欠陥スピネル型構造を閃亜鉛鉱型構造に変換した時の前記バッファー層の格子定数ａが、０．５９ｎｍ以上０．６２ｎｍ以下であることを特徴とする。
