Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2011105870 - PROCÉDÉ DE FORMATION FACILE D'UN NANOMODÈLE PAR GRAVURE PAR IONS RÉACTIFS SEULE SANS L'AIDE D'UN MASQUE

Numéro de publication WO/2011/105870
Date de publication 01.09.2011
N° de la demande internationale PCT/KR2011/001388
Date du dépôt international 28.02.2011
CIB
H01L 21/027 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
CPC
B81B 2203/0361
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
2203Basic microelectromechanical structures
03Static structures
0361Tips, pillars
B81C 1/00111
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00015for manufacturing microsystems
00023without movable or flexible elements
00111Tips, pillars, i.e. raised structures
Déposants
  • 고려대학교 산학협력단 KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION [KR]/[KR] (AllExceptUS)
  • 이규백 LEE, Kyu-Back [KR]/[KR] (UsOnly)
  • 이원배 LEE, Wonbae [KR]/[KR] (UsOnly)
  • 김정숙 KIM, Jung-Suk [KR]/[KR] (UsOnly)
Inventeurs
  • 이규백 LEE, Kyu-Back
  • 이원배 LEE, Wonbae
  • 김정숙 KIM, Jung-Suk
Mandataires
  • 한양특허법인 HANYANG PATENT FIRM
Données relatives à la priorité
10-2010-001813826.02.2010KR
10-2010-010146018.10.2010KR
Langue de publication Coréen (ko)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR EASILY FORMING A NANOPATTERN BY MEANS OF REACTIVE ION ETCHING ALONE WITHOUT USING A MASK
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION FACILE D'UN NANOMODÈLE PAR GRAVURE PAR IONS RÉACTIFS SEULE SANS L'AIDE D'UN MASQUE
(KO) 마스크 없이 반응성 이온 식각만으로 쉽게 나노 패턴을 형성하는 방법
Abrégé
(EN) The present invention relates to a method for forming a nanopattern, and more particularly, to a method for forming a nanopattern, comprising the following steps: 1) depositing a polymer resist on a substrate; 2) performing an oxygen plasma processing on the substrate on which the polymer resist is deposited, so as to form a polymeric mother pattern for the selective attachment of a self-mask material during the formation of a self-mask in the next step 3); and 3) performing fluorine plasma processing such that the self-mask material can be selectively attached onto the polymeric mother pattern, and a nanopattern can be formed by reactive ion etching. The method for forming a nanopattern according to the present invention eliminates the necessity of a photomask and development stage, thus enabling a nanopattern to be formed on the substrate through a simple process.
(FR) La présente invention concerne un procédé de formation d'un nanomodèle, et plus particulièrement, un procédé de formation d'un nanomodèle, comprenant les étapes suivantes: 1) déposer une réserve de polymère sur un substrat; 2) effectuer un traitement par plasma d'oxygène sur le substrat sur lequel la réserve de polymère est déposée, de manière à former un modèle parent polymérique pour l'attachement sélectif d'un matériau d'auto-masque durant la formation d'un auto-masque dans l'étape suivante 3); et 3) effectuer un traitement par plasma de fluor de telle sorte que le matériau d'auto-masque puisse être sélectivement attaché sur le modèle parent polymérique, et qu'un nanomodèle puisse être formé par gravure par ions réactifs. Le procédé de formation d'un nanomodèle selon la présente invention élimine la nécessité d'un masque photographique et de l'étape de développement, permettant ainsi de former un nanomodèle sur le substrat par un procédé simple.
(KO) 본 발명은 나노 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 1) 기판 상에 고분자 레지스트를 도포하는 단계, 2) 상기 고분자 레지스트가 도포된 기판에 산소 플라즈마 공정을 수행하여 다음 단계 3)에서 자가 마스크(self-mask) 형성 시 자가 마스크 물질의 부착 선택성을 부여할 수 있는 고분자 모패턴(polymeric mother pattern)을 만드는 단계, 및 3) 불소계 플라즈마 공정을 수행하여 고분자 모패턴에 자가 마스크(self-mask) 물질이 선택적으로 부착되도록 하고 반응성 이온 식각에 의하여 나노 패턴을 제조하는 단계를 포함하는 나노 패턴의 제조방법을 포함한다. 본 발명에 따른 나노 패턴을 형성하는 방법에 따라 포토마스크 및 현상의 단계가 필요 없이 간단한 공정만으로 기판 위에 나노 패턴을 제조할 수 있다.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international