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1. WO2011105625 - DISPOSITIF D'IMAGERIE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DUDIT DISPOSITIF D'IMAGERIE ET APPAREIL D'IMAGERIE

Numéro de publication WO/2011/105625
Date de publication 01.09.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2011/054839
Date du dépôt international 24.02.2011
CIB
H01L 27/146 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
CPC
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H01L 27/1461
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
1461characterised by the photosensitive area
H01L 27/1464
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1464Back illuminated imager structures
H01L 27/14645
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14643Photodiode arrays; MOS imagers
14645Colour imagers
Déposants
  • FUJIFILM Corporation [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • SUZUKI, Hideyuki (UsOnly)
  • TSUTSUMI, Kiyohiko (UsOnly)
Inventeurs
  • SUZUKI, Hideyuki
  • TSUTSUMI, Kiyohiko
Mandataires
  • TAKAMATSU, Takeshi
Données relatives à la priorité
2010-04112725.02.2010JP
2010-20494413.09.2010JP
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) IMAGING DEVICE, METHOD FOR FABRICATING IMAGING DEVICE, AND IMAGING APPARATUS
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DUDIT DISPOSITIF D'IMAGERIE ET APPAREIL D'IMAGERIE
Abrégé
(EN) According to an aspect of the invention, an imaging device includes a plurality of photoelectric conversion elements and a read-out portion. The photoelectric conversion elements are arranged above a substrate. The read-out portion reads out signal corresponding to charges which are generated from each of the photoelectric conversion elements. Each of the photoelectric conversion elements includes a first electrode that collects the charge, a second electrode that is disposed opposite to the first electrode, a photoelectric conversion layer that generates the charges and disposed between the first electrode and the second electrode, and an electron blocking layer that is disposed between the first electrode and the photoelectric conversion layer. Distance between the first electrodes of adjacent photoelectric conversion elements is 250 nm or smaller. Each of the electron blocking layers has a change in surface potential of -1 to 3 eV from a first face to a second face.
(FR) Selon un aspect, l'invention concerne un dispositif d'imagerie comprenant une pluralité d'éléments de conversion photo-électrique et une partie de lecture. Les éléments de conversion photo-électrique sont agencés au-dessus d'un substrat. La partie de lecture lit un signal correspondant à des charges qui sont générées à partir de chacun des éléments de conversion photo-électrique. Chaque élément de conversion photo-électrique comprend une première électrode qui collecte la charge, une seconde électrode qui est opposée à la première électrode, une couche de conversion photo-électrique qui génère les charges et est disposée entre la première électrode et la seconde électrode et une couche de blocage électronique qui est disposée entre la première électrode et la couche de conversion photo-électrique. La distance entre les premières électrodes des éléments de conversion photo-électrique adjacents est de 250 nm ou moins. Chacune des couches de blocage électronique présente un changement de potentiel de surface compris entre -1 et 3 eV à partir d'une première face vers d'une seconde face.
Documents de brevet associés
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