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1. WO2011075158 - DÉPÔT SUR UNE SURFACE IMPORTANTE DE GRAPHÈNE SUR DES SUBSTRATS ET PRODUITS COMPRENANT CEUX-CI

Numéro de publication WO/2011/075158
Date de publication 23.06.2011
N° de la demande internationale PCT/US2010/003044
Date du dépôt international 24.11.2010
CIB
C01B 31/04 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
31Carbone; Ses composés
02Préparation du carbone; Purification
04Graphite
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
C01B 32/188
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
32Carbon; Compounds thereof
15Nano-sized carbon materials
182Graphene
184Preparation
188by epitaxial growth
C01B 32/194
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
32Carbon; Compounds thereof
15Nano-sized carbon materials
182Graphene
194After-treatment
C01P 2004/24
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2004Particle morphology
20extending in two dimensions, e.g. plate-like
24Nanoplates, i.e. plate-like particles with a thickness from 1-100 nanometer
C03C 17/28
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
17Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
28with organic material
Déposants
  • GUARDIAN INDUSTRIES CORP. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • VEERASAMY, Vijayen S. [MU]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • VEERASAMY, Vijayen S.
Mandataires
  • RHOA, Joseph A.
Données relatives à la priorité
12/654,26915.12.2009US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) LARGE AREA DEPOSITION OF GRAPHENE ON SUBSTRATES, AND PRODUCTS INCLUDING THE SAME
(FR) DÉPÔT SUR UNE SURFACE IMPORTANTE DE GRAPHÈNE SUR DES SUBSTRATS ET PRODUITS COMPRENANT CEUX-CI
Abrégé
(EN)
Certain example embodiments of this invention relate to the use of graphene as a transparent conductive coating (TCC). A substrate having a surface to be coated is provided. A self-assembled monolayer (SAM) template is disposed on the surface to be coated. A precursor comprising a precursor molecule is provided, with the precursor molecule being a polycyclic aromatic hydrocarbon (PAH) and discotic molecule. The precursor is dissolved to form a solution. The solution is applied to the substrate having the SAM template disposed thereon. The precursor molecule is photochemically attached to the SAM template. The substrate is heated to at least 450 degrees C to form a graphene-inclusive film. Advantageously, the graphene-inclusive film may be provided directly on the substrate, e.g., without the need for a liftoff process.
(FR)
Certains modes de réalisation donnés à titre d'exemples de cette invention portent sur l'utilisation de graphène en tant que revêtement conducteur transparent (TCC). Un substrat ayant une surface devant être revêtue est fourni. Une matrice monocouche auto-assemblée (SAM) est disposée sur la surface devant être revêtue. Un précurseur comprenant une molécule précurseur est fourni, la molécule précurseur étant un hydrocarbure aromatique polycyclique (PAH) et une molécule discotique. Le précurseur est dissous pour former une solution. La solution est appliquée sur le substrat sur lequel est disposée la matrice SAM. La molécule précurseur est attachée photochimiquement à la matrice SAM. Le substrat est chauffé à au moins 450 degrés C pour former un film comprenant du graphène. Avantageusement, le film comprenant du graphène peut être disposé directement sur le substrat, par exemple sans la nécessité d'un procédé « lift-off ».
Également publié en tant que
MXMX/a/2012/006850
RU2012129980
TH1201002884
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international