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1. WO2011072058 - DISPOSITIF DE JONCTION À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUE

Lien permanent
Numéro de publication WO/2011/072058
Date de publication 16.06.2011
N° de la demande internationale PCT/US2010/059541
Date du dépôt international 08.12.2010
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 07.10.2011
CIB
H01L 43/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08Résistances commandées par un champ magnétique
H01L 27/22 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
22comprenant des composants utilisant les effets galvanomagnétiques, p.ex. effet Hall; utilisant des effets de champ magnétique analogues
CPC
H01L 27/222
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
22including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effects; using similar magnetic field effects
222Magnetic non-volatile memory structures, e.g. MRAM
H01L 43/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
02Details
H01L 43/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
08Magnetic-field-controlled resistors
H01L 43/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
10Selection of materials
H01L 43/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
12Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Déposants
  • QUALCOMM Incorporated [US]/[US] (AllExceptUS)
  • ZHU, Xiaochun [CN]/[US] (UsOnly)
  • KANG, Seung H. [KR]/[US] (UsOnly)
  • LI, Xia [CN]/[US] (UsOnly)
  • LEE, Kangho [KR]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • ZHU, Xiaochun
  • KANG, Seung H.
  • LI, Xia
  • LEE, Kangho
Mandataires
  • TALPALATSKY, Sam
Données relatives à la priorité
12/633,26408.12.2009US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE JONCTION À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUE
front page image
Abrégé
(EN)
A system and method of manufacturing and using a magnetic tunnel junction device is disclosed. In a particular embodiment, a magnetic tunnel junction device includes a first free layer (112) and second free layer (116). The magnetic tunnel junction also includes a spin torque enhancement layer. The magnetic tunnel junction device further includes a spacer layer (114) between the first and second free layers that includes a material and has a thickness that substantially inhibits exchange coupling between the first and second free layers. The first and second free layers are magneto - statically coupled.
(FR)
La présente invention concerne un système et un procédé de fabrication et d'utilisation d'un dispositif de jonction à effet tunnel magnétique. Dans un mode de réalisation particulier, un dispositif de jonction à effet tunnel magnétique comprend une première couche libre et une seconde couche libre. La jonction à effet tunnel magnétique comporte en outre une couche d'amélioration de couple de rotation. Ledit dispositif de jonction à effet tunnel magnétique comprend également une couche d'espacement entre les première et seconde couches libres qui se compose d'un matériau et qui présente une épaisseur empêchant presque le couplage d'échange entre lesdites première et seconde couches libres. Ces première et seconde couches libres sont couplées de manière magnétostatique.
Également publié en tant que
CN102648539
CN105720189
EP2510562
IN1398/MUMNP/2012
JP2013513255
JP2014103420
US20110133299
US20140035075
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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