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1. WO2011071594 - ÉCRITURE D'ENSEMBLE ÉCONOME EN ÉNERGIE DANS UNE MÉMOIRE À CHANGEMENT DE PHASE AVEC COMMUTATEUR

Numéro de publication WO/2011/071594
Date de publication 16.06.2011
N° de la demande internationale PCT/US2010/052833
Date du dépôt international 15.10.2010
CIB
G11C 13/02 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
13Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
02utilisant des éléments dont le fonctionnement dépend d'un changement chimique
G11C 16/34 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
34Détermination de l'état de programmation, p.ex. de la tension de seuil, de la surprogrammation ou de la sousprogrammation, de la rétention
G11C 16/10 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
10Circuits de programmation ou d'entrée de données
G11C 16/26 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
26Circuits de détection ou de lecture; Circuits de sortie de données
CPC
G11C 13/0004
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0004comprising amorphous/crystalline phase transition cells
G11C 13/003
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0021Auxiliary circuits
003Cell access
G11C 13/004
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0021Auxiliary circuits
004Reading or sensing circuits or methods
G11C 13/0069
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0021Auxiliary circuits
0069Writing or programming circuits or methods
G11C 2013/008
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0021Auxiliary circuits
0069Writing or programming circuits or methods
008Write by generating heat in the surroundings of the memory material, e.g. thermowrite
G11C 2213/76
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2213Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
70Resistive array aspects
76Array using an access device for each cell which being not a transistor and not a diode
Déposants
  • INTEL CORPORATION [US]/[US] (AllExceptUS)
  • KAU, Derchang [US]/[US] (UsOnly)
  • KALB, Johannes [DE]/[US] (UsOnly)
  • KARPOV, Elijah [US]/[US] (UsOnly)
  • SPADINI, Gianpaolo [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • KAU, Derchang
  • KALB, Johannes
  • KARPOV, Elijah
  • SPADINI, Gianpaolo
Mandataires
  • COOL, Kenneth, J.
Données relatives à la priorité
12/653,09208.12.2009US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ENERGY-EFFICIENT SET WRITE OF PHASE CHANGE MEMORY WITH SWITCH
(FR) ÉCRITURE D'ENSEMBLE ÉCONOME EN ÉNERGIE DANS UNE MÉMOIRE À CHANGEMENT DE PHASE AVEC COMMUTATEUR
Abrégé
(EN)
Embodiments of apparatus and methods for an energy efficient set write of phase change memory with switch are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.
(FR)
La présente invention concerne de manière générale, dans différents modes de réalisation, des appareils et des procédés d'écriture d'ensemble économe en énergie dans une mémoire à changement de phase avec commutateur. D'autres modes de réalisation peuvent être décrits et revendiqués.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international