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1. WO2011065534 - PROCESSUS DE PRODUCTION DE NITRURE D'ALUMINIUM MONOCRISTALLIN

Numéro de publication WO/2011/065534
Date de publication 03.06.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2010/071259
Date du dépôt international 29.11.2010
CIB
C30B 29/38 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
38Nitrures
C30B 25/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
02Croissance d'une couche épitaxiale
CPC
C30B 23/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
C30B 23/007
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
007Growth of whiskers or needles
C30B 25/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
C30B 29/403
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
403AIII-nitrides
C30B 29/62
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
60characterised by shape
62Whiskers or needles
Déposants
  • 国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 株式会社トクヤマ Tokuyama Corporation [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 福山 博之 FUKUYAMA, Hiroyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 東 正信 AZUMA, Masanobu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 高田 和哉 TAKADA, Kazuya [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 服部 剛 HATTORI, Takeshi [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 福山 博之 FUKUYAMA, Hiroyuki
  • 東 正信 AZUMA, Masanobu
  • 高田 和哉 TAKADA, Kazuya
  • 服部 剛 HATTORI, Takeshi
Mandataires
  • 前田 均 MAEDA, Hitoshi
Données relatives à la priorité
2009-27241830.11.2009JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PROCESS FOR PRODUCING SINGLE-CRYSTAL ALUMINUM NITRIDE
(FR) PROCESSUS DE PRODUCTION DE NITRURE D'ALUMINIUM MONOCRISTALLIN
(JA) 窒化アルミニウム単結晶の製造方法
Abrégé
(EN)
Provided is a process for efficiently and easily producing single-crystal aluminum nitride having satisfactory crystallinity. The process for single-crystal aluminum nitride production comprises passing nitrogen gas in the presence of a molded carbon object and a starting-material gas source that generates aluminum gas or aluminum oxide gas and growing single-crystal aluminum nitride in a heated environment. The process is characterized in that the starting-material gas source, part of which is not in contact with the molded carbon object, and the molded carbon object, part of which is not in contact with the starting-material gas source, are disposed so that there is a space of 0.01-50 mm between the part of the starting-material gas source and the part of the molded carbon object, and that a heating temperature and a nitrogen gas flow rate are set so as to satisfy conditions under which aluminum nitride deposits in the space between the part of the starting-material gas source which is not in contact with the molded carbon object and the part of the molded carbon object which is not in contact with the starting-material gas source.
(FR)
L'invention concerne un processus destiné à produire aisément et de manière efficiente du nitrure d'aluminium monocristallin présentant une cristallinité satisfaisante. Le processus de production de nitrure d'aluminium monocristallin comporte les étapes consistant à faire passer de l'azote gazeux en présence d'un objet moulé en carbone et d'une source de matière première gazeuse qui génère un gaz d'aluminium ou un gaz d'oxyde d'aluminium et à faire croître du nitrure d'aluminium monocristallin dans un environnement chauffé. Le processus est caractérisé en ce que la source de matière première gazeuse, dont une partie n'est pas en contact avec l'objet moulé en carbone, et l'objet moulé en carbone, dont une partie n'est pas en contact avec la source de matière première gazeuse, sont disposés de façon à ménager un espace de 0,01 à 50 mm entre la partie de la source de matière première gazeuse et la partie de l'objet moulé en carbone, et en ce qu'une température et un débit d'azote gazeux sont réglés de façon à satisfaire des conditions dans lesquelles du nitrure d'aluminium se dépose dans l'espace compris entre la partie de la source de matière première gazeuse qui n'est pas en contact avec l'objet moulé en carbone et la partie de l'objet moulé en carbone qui n'est pas en contact avec la source de matière première gazeuse.
(JA)
 本発明は、結晶性の良好な窒化アルミニウム単結晶を効率よく、簡便に製造する方法を提供するものである。 本発明に係る窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、アルミニウムガスまたはアルミニウム酸化物ガスを発生する原料ガス発生源と、炭素成形体との存在下に窒素ガスを流通して、加熱環境下で窒化アルミニウム単結晶を成長させる際に、炭素成形体と接触しない原料ガス発生源と、原料ガス発生源と接触しない炭素成形体との間に0.01~50mmの間隔がある空間が存在する配置で、原料ガス発生源と炭素成形体を配置し、当該炭素成形体と接触しない原料ガス発生源と、原料ガス発生源と接触しない炭素成形体との間の空間で、窒化アルミニウムが析出する条件を満足するように加熱温度、窒素ガス流量を設定することを特徴としている。
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