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1. WO2011062050 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE MINCE PIÉZOÉLECTRIQUE, COUCHE MINCE PIÉZOÉLECTRIQUE ET ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE

Numéro de publication WO/2011/062050
Date de publication 26.05.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2010/069409
Date du dépôt international 01.11.2010
CIB
H01L 41/24 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
24d'éléments à composition céramique
C23C 14/08 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
06caractérisé par le matériau de revêtement
08Oxydes
C23C 14/34 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
H01L 41/09 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
08Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs
09à entrée électrique et sortie mécanique
H01L 41/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
16Emploi de matériaux spécifiés
18pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
H01L 41/22 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
CPC
C23C 14/088
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
08Oxides
088of the type ABO3 with A representing alkali, alkaline earth metal or Pb and B representing a refractory or rare earth metal
C23C 14/54
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
54Controlling or regulating the coating process
H01L 41/0973
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08Piezo-electric or electrostrictive devices
09with electrical input and mechanical output ; , e.g. actuators, vibrators
0926using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
0973Membrane type
H01L 41/1876
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
16Selection of materials
18for piezo-electric or electrostrictive devices ; , e.g. bulk piezo-electric crystals
187Ceramic compositions ; , i.e. synthetic inorganic polycrystalline compounds incl. epitaxial, quasi-crystalline materials
1875Lead based oxides
1876Lead zirconate titanate based
H01L 41/316
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
22Processes or apparatus specially adapted for the assembly, manufacture or treatment of piezo-electric or electrostrictive devices or of parts thereof
31Applying piezo-electric or electrostrictive parts or bodies onto an electrical element or another base
314by depositing piezo-electric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
316by vapour phase deposition
Déposants
  • コニカミノルタホールディングス株式会社 Konica Minolta Holdings, Inc. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 松田 伸也 MATSUDA Shinya [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 松田 伸也 MATSUDA Shinya
Données relatives à la priorité
2009-26162017.11.2009JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF MANUFACTURING PIEZOELECTRIC THIN FILM, AND PIEZOELECTRIC THIN FILM AND PIEZOELECTRIC ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE MINCE PIÉZOÉLECTRIQUE, COUCHE MINCE PIÉZOÉLECTRIQUE ET ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電体薄膜の製造方法、圧電体薄膜及び圧電体素子
Abrégé
(EN)
Disclosed is a method of manufacturing a piezoelectric thin film having the desired crystal structure and a favorable element composition. Specifically disclosed is a piezoelectric thin film manufacturing method for forming, on a substrate, a thin film of a piezoelectric substance having a predetermined crystal structure including a plurality of elements, said piezoelectric thin film manufacturing method comprising a first step for forming an initial layer of the piezoelectric substance on the substrate at a first substrate temperature, and a second step for forming a subsequent layer of the piezoelectric substance contiguous with the initial layer at a second substrate temperature, wherein the first substrate temperature is such that the crystal structure of the initial layer, which is formed at the first substrate temperature, more closely resembles the predetermined crystal structure than would be the case if the initial layer were formed at the second substrate temperature, and wherein the second substrate temperature is such that the composition ratio of the plurality of elements constituting the piezoelectric substance of the subsequent layer is closer to a stoichiometric composition ratio than is the composition ratio of the initial layer.
(FR)
La présente invention a trait à un procédé de fabrication d'une couche mince piézoélectrique dotée de la structure cristalline souhaitée et d'une composition d'éléments favorable. Plus particulièrement, la présente invention a trait à un procédé de fabrication d'une couche mince piézoélectrique permettant de former, sur un substrat, une couche mince d'une substance piézoélectrique dotée d'une structure cristalline prédéterminée incluant une pluralité d'éléments, ledit procédé de fabrication d'une couche mince piézoélectrique comprenant une première étape consistant à former une couche initiale constituée de la substance piézoélectrique sur le substrat à une première température de substrat, et une seconde étape consistant à former une couche suivante constituée de la substance piézoélectrique contiguë à la couche initiale à une second température de substrat, laquelle première température de substrat est telle que la structure cristalline de la couche initiale, qui est formée à la première température de substrat, ressemble davantage à la structure cristalline prédéterminée que si la couche initiale avait été formée à la seconde température de substrat, et laquelle seconde température de substrat est telle que le rapport de composition de la pluralité d'éléments constituant la substance piézoélectrique de la couche suivante se rapproche davantage du rapport de composition stœchiométrique par rapport au rapport de composition de la couche initiale.
(JA)
 所望の結晶構造で、且つ、元素の良好な構成を有する圧電体薄膜を提供することを目的とし、複数の元素による所定の結晶構造を有する圧電体の薄膜を基板の上に形成する圧電体薄膜の製造方法において、前記基板の上に、第1の基板温度で前記圧電体の初期層を形成する第1工程と、前記初期層に連続して、第2の基板温度で前記圧電体の後期層を形成する第2工程と、を含み、前記第1の基板温度は、前記第1の基板温度で前記初期層を形成した場合の初期層の結晶構造が、前記第2の基板温度で前記初期層を形成した場合の初期層の結晶構造よりも、前記所定の結晶構造に近くなるように形成される温度であり、前記第2の基板温度は、該後期層の圧電体を形成する複数の元素の組成比が、前記初期層の組成比より、化学量論的組成比に近くなるように形成される温度である。
Également publié en tant que
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