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1. WO2011062042 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2011/062042
Date de publication 26.05.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2010/069240
Date du dépôt international 25.10.2010
CIB
H04B 1/59 2006.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
BTRANSMISSION
1Détails des systèmes de transmission, non couverts par l'un des groupes H04B3/-H04B13/124; Détails des systèmes de transmission non caractérisés par le milieu utilisé pour la transmission
59Répondeurs; Transpondeurs
G06K 19/07 2006.01
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
KRECONNAISSANCE DES DONNÉES; PRÉSENTATION DES DONNÉES; SUPPORTS D'ENREGISTREMENT; MANIPULATION DES SUPPORTS D'ENREGISTREMENT
19Supports d'enregistrement pour utilisation avec des machines et avec au moins une partie prévue pour supporter des marques numériques
06caractérisés par le genre de marque numérique, p.ex. forme, nature, code
067Supports d'enregistrement avec des marques conductrices, des circuits imprimés ou des éléments de circuit à semi-conducteurs, p.ex. cartes d'identité ou cartes de crédit
07avec des puces à circuit intégré
H01L 21/822 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 21/8234 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
H01L 27/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 27/088 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
08comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085comprenant uniquement des composants à effet de champ
088les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
CPC
G06K 19/07
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
KRECOGNITION OF DATA; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
19Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
06characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards ; also with resonating or responding marks without active components
07with integrated circuit chips
G06K 19/07749
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
KRECOGNITION OF DATA; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
19Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
06characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards ; also with resonating or responding marks without active components
07with integrated circuit chips
077Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
07749the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
G06K 19/07773
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
KRECOGNITION OF DATA; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
19Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
06characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards ; also with resonating or responding marks without active components
07with integrated circuit chips
077Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
07749the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
07773Antenna details
H01L 2223/6677
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2223Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
64Impedance arrangements
66High-frequency adaptations
6661for passive devices
6677for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
H01L 23/66
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for ; , e.g. in combination with batteries
64Impedance arrangements
66High-frequency adaptations
H01L 27/0688
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
0688Integrated circuits having a three-dimensional layout
Déposants
  • SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • KATO, Kiyoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • KOYAMA, Jun (UsOnly)
Inventeurs
  • KATO, Kiyoshi
  • KOYAMA, Jun
Données relatives à la priorité
2009-26559420.11.2009JP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé
(EN)
An object is to achieve low power consumption and a long lifetime of a semiconductor device having a wireless communication function. The object can be achieved in such a manner that a battery serving as a power supply source and a specific circuit are electrically connected to each other through a transistor in which a channel formation region is formed using an oxide semiconductor. The hydrogen concentration of the oxide semiconductor is lower than or equal to 5× 1019 (atoms / cm3). Therefore, leakage current of the transistor can be reduced. As a result, power consumption of the semiconductor device in a standby state can be reduced. Further, the semiconductor device can have a long lifetime.
(FR)
La présente invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteur ayant une fonction de communication sans fil. La présente invention a pour objectif de réduire la consommation de puissance et de prolonger la durée de vie de ce dispositif. Cet objectif peut être atteint de la manière suivante : une batterie servant de source d'alimentation en énergie électrique et un circuit spécifique sont connectés électriquement l'un à l'autre par le biais d'un transistor dans lequel une zone de formation de canal est formée au moyen d'un semi-conducteur oxyde. La concentration en hydrogène du semi-conducteur oxyde est inférieure ou égale à 5 × 1019 (atomes/cm3). Ceci permet de réduire le courant de fuite du transistor et, par voie de conséquence, une consommation de puissance du dispositif à semi-conducteur peut également être réduite dans un état d'attente. Par ailleurs, la durée de vie du dispositif à semi-conducteur peut être prolongée.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international