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1. WO2011060740 - ATTÉNUATEUR

Numéro de publication WO/2011/060740
Date de publication 26.05.2011
N° de la demande internationale PCT/CN2010/078936
Date du dépôt international 22.11.2010
CIB
H03F 1/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
1Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
32Modifications des amplificateurs pour réduire la distorsion non linéaire
H01P 1/22 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
PGUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
1Dispositifs auxiliaires
22Atténuateurs
H03H 11/24 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
11Réseaux utilisant des éléments actifs
02Réseaux à plusieurs accès
24Atténuateurs indépendants de la fréquence
H03H 11/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
11Réseaux utilisant des éléments actifs
02Réseaux à plusieurs accès
04Réseaux sélectifs en fréquence à deux accès
06comprenant des moyens assurant la compensation des pertes
H03H 7/24 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
7Réseaux à plusieurs accès comportant comme composants uniquement des éléments électriques passifs
24Affaiblisseurs indépendants de la fréquence
H03H 7/03 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
7Réseaux à plusieurs accès comportant comme composants uniquement des éléments électriques passifs
01Réseaux à deux accès sélecteurs de fréquence
03comportant des moyens assurant la compensation des pertes
CPC
H01P 1/227
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
1Auxiliary devices
22Attenuating devices
227Strip line attenuators
H01P 5/186
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
5Coupling devices of the waveguide type
12Coupling devices having more than two ports
16Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
18consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers
184the guides being strip lines or microstrips
185Edge coupled lines
186Lange couplers
H03F 2200/192
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
192A hybrid coupler being used at the input of an amplifier circuit
H03F 2200/198
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
198A hybrid coupler being used as coupling circuit between stages of an amplifier circuit
H03F 2200/204
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
204A hybrid coupler being used at the output of an amplifier circuit
H03F 3/602
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
60Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
602Combinations of several amplifiers
Déposants
  • 华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN]/[CN] (AllExceptUS)
  • 高存浩 GAO, Cunhao [CN]/[CN] (UsOnly)
Inventeurs
  • 高存浩 GAO, Cunhao
Données relatives à la priorité
200910109818.620.11.2009CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) ATTENUATOR
(FR) ATTÉNUATEUR
(ZH) 一种衰减器
Abrégé
(EN)
An attenuator is provided, which includes: a first 3dB hybrid, a second 3dB hybrid and an amplifier transistor group, wherein the amplifier transistor group includes a first amplifier transistor and a second amplifier transistor. The drain of said the first amplifier transistor is connected to a first output of the first 3dB hybrid, the source of said the first amplifier transistor is connected to a first input of the second 3dB hybrid, the drain of said the second amplifier transistor is connected to a second output of the first 3dB hybrid, the source of said the second amplifier transistor is connected to a second input of the second 3dB hybrid; wherein said the first 3dB hybrid and said the second 3dB hybrid are set an isolation resistance respectively, said the isolation resistance is used for absorbing the power. The gates of said the first amplifier transistor and the second amplifier transistor are connected to same voltage source or different voltage source with same voltage respectively.
(FR)
La présente invention a trait à un atténuateur qui inclut : une première jonction hybride 3dB, une seconde jonction hybride 3dB et un groupe amplificateur transistor, lequel groupe amplificateur transistor inclut un premier amplificateur transistor et un second amplificateur transistor. Le drain dudit premier amplificateur transistor est connecté à la première sortie de la première jonction hybride 3dB, la source dudit premier amplificateur transistor est connectée à la première entrée de la seconde jonction hybride 3dB, le drain dudit second amplificateur transistor est connecté à une seconde sortie de la première jonction hybride 3dB, la source dudit second amplificateur transistor est connectée à une seconde entrée de la seconde jonction hybride 3dB; laquelle première jonction hybride 3dB et laquelle seconde jonction hybride 3dB ont une résistance d'isolation respectivement, ladite résistance d'isolation étant utilisée afin d'absorber l'énergie. Les grilles dudit premier amplificateur transistor et dudit second amplificateur transistor sont connectées à la même source de tension ou à une source de tension différente ayant la même tension respectivement.
Également publié en tant que
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