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1. WO2011058634 - APPAREIL D'EXPOSITION ET MASQUE PHOTOGRAPHIQUE ASSOCIÉ

Numéro de publication WO/2011/058634
Date de publication 19.05.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2009/069288
Date du dépôt international 12.11.2009
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
CPC
G03F 1/38
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
38Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
G03F 1/50
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
50Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
G03F 1/62
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
G03F 7/20
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
G03F 7/70275
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70216Systems for imaging mask onto workpiece
70275Multiple projection paths, array of projection systems, microlens projection systems, tandem projection systems
G03F 7/70283
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70216Systems for imaging mask onto workpiece
70283Masks or their effects on the imaging process, e.g. Fourier masks, greyscale masks, holographic masks, phase shift masks, phasemasks, lenticular masks, multiple masks, tilted masks, tandem masks
Déposants
  • 株式会社ブイ・テクノロジー V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 水村 通伸 MIZUMURA, Michinobu [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 水村 通伸 MIZUMURA, Michinobu
Mandataires
  • 笹島 富二雄 SASAJIMA, Fujio
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) EXPOSURE APPARATUS AND PHOTOMASK USED THEREIN
(FR) APPAREIL D'EXPOSITION ET MASQUE PHOTOGRAPHIQUE ASSOCIÉ
(JA) 露光装置及びそれに使用するフォトマスク
Abrégé
(EN)
Disclosed is a photomask (3) which is provided with: a plurality of mask pattern rows (15) which are formed by arranging a plurality of mask patterns (13) at a predetermined pitch in the direction substantially orthogonally intersecting the transfer direction (A) of a subject to be exposed; and a plurality of microlenses (14), which are formed on the side of the subject to be exposed by respectively corresponding to the mask patterns (13) of the mask pattern rows (15), and reduce the mask patterns (13) and project the mask patterns on the subject to be exposed. Subsequent mask pattern rows (15b-15d) and the microlenses (14) corresponding to the subsequent mask pattern rows are formed by being shifted by a predetermined amount in the direction wherein the mask patterns (13) are arranged, such that exposure can be performed by supplementing portions between a plurality of exposure patterns formed by means of a mask pattern row (15a) positioned on the head side of the body to be exposed, said head side being in the transfer direction (A), with a plurality of exposure patterns formed by means of the subsequent mask pattern rows (15b-15d). Thus, fine exposure patterns are formed with high resolution and high density over the entire surface of the subject to be exposed.
(FR)
La présente invention concerne un masque photographique (3) qui comprend: une pluralité de rangées de motifs de masque (15) qui sont formées en agençant une pluralité de motifs de masque (13) selon un pas prédéfini dans la direction coupant sensiblement perpendiculairement la direction de transfert (A) d'un sujet devant être exposé; et une pluralité de microlentilles (14) qui sont formées du côté du sujet devant être exposé respectivement en correspondance avec les motifs de masque (13) des rangées de motifs de masque (15), réduisent les motifs de masque (13) et projettent les motifs de masque sur le sujet devant être exposé. Les rangées de motifs de masque suivantes (15b à 15d) et les microlentilles (14) correspondant aux rangées de motifs de masque suivantes sont formées en étant décalées selon une quantité prédéfinie dans la direction d'agencement des motifs de masque (13), de sorte qu'il est possible de procéder à une exposition en complétant des parties situées entre une pluralité de motifs d'exposition formés au moyen d'une rangée de motifs de masque (15a) positionnée du côté de la tête du corps devant être exposé, ledit côté de tête se situant dans la direction de transfert (A), une pluralité de motifs d'exposition étant formée au moyen des rangées de motifs de masque suivantes (15b à 15d). On peut ainsi former de fins motifs d'exposition présentant une haute résolution et une forte densité sur l'ensemble de la surface du sujet devant être exposé.
(JA)
 本発明は、フォトマスク3は、被露光体の搬送方向Aに略直交する方向に複数のマスクパターン13を所定ピッチで並べて形成した複数のマスクパターン列15と、複数のマスクパターン列15の各マスクパターン13に夫々対応して被露光体側に形成され、各マスクパターン13を被露光体上に縮小投影する複数のマイクロレンズ14と、を備えて成り、被露光体の搬送方向Aの先頭側に位置するマスクパターン列15aにより形成される複数の露光パターンの間を後続のマスクパターン列15b~15dにより形成される複数の露光パターンにより補完して露光可能に、上記後続のマスクパターン列15b~15d及びそれに対応する各マイクロレンズ14を複数のマスクパターン13の上記並び方向に夫々所定寸法だけずらして形成したものである。これにより、微細な露光パターンを被露光体の全面に亘って高分解能で高密度に形成する。
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