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1. WO2011055885 - MICROPHONE EN TECHNOLOGIE MEMS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT

Numéro de publication WO/2011/055885
Date de publication 12.05.2011
N° de la demande internationale PCT/KR2010/000874
Date du dépôt international 11.02.2010
CIB
H04R 19/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
RHAUT-PARLEURS, MICROPHONES, TÊTES DE LECTURE POUR TOURNE-DISQUES OU TRANSDUCTEURS ACOUSTIQUES ÉLECTROMÉCANIQUES ANALOGUES; APPAREILS POUR SOURDS; SYSTÈMES D'ANNONCE EN PUBLIC
19Transducteurs électrostatiques
04Microphones
CPC
B81B 2201/0257
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
2201Specific applications of microelectromechanical systems
02Sensors
0257Microphones or microspeakers
B81B 2203/0127
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
2203Basic microelectromechanical structures
01Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
0127Diaphragms, i.e. structures separating two media that can control the passage from one medium to another; Membranes, i.e. diaphragms with filtering function
B81C 1/00158
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00015for manufacturing microsystems
00134comprising flexible or deformable structures
00158Diaphragms, membranes
H04R 19/04
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
19Electrostatic transducers
04Microphones
Déposants
  • 주식회사 비에스이 BSE CO., LTD. [KR]/[KR] (AllExceptUS)
  • 김용국 KIM, Yong-Kook [KR]/[KR] (UsOnly)
  • 송청담 SONG, Chung-Dam [KR]/[KR] (UsOnly)
Inventeurs
  • 김용국 KIM, Yong-Kook
  • 송청담 SONG, Chung-Dam
Mandataires
  • 윤병삼 YOON, Byung-Sam
Données relatives à la priorité
10-2009-010694306.11.2009KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) MEMS MICROPHONE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) MICROPHONE EN TECHNOLOGIE MEMS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
(KO) 멤스 마이크로폰 및 그 제조방법
Abrégé
(EN)
The present invention relates to a MEMS microphone and to a method for manufacturing same, which are capable of precisely forming a gap between a membrane and a back plate by forming an air-gap-forming portion on a silicon substrate and then depositing the membrane and back plate thereon. Also, according to the MEMS microphone and method for manufacturing same, by manufacturing the membrane and/or back plate using an electroless plating process, the planarizing process of a sacrificial layer can be simplified, and reducing and controlling residual stress can be rendered easy. The MEMS microphone according to the present invention comprises: a silicon substrate defining a back chamber and an air-gap-forming portion formed by means of etching into a top of the back chamber up to a predetermined depth; a membrane deposited on the air-gap-forming portion of the silicon substrate or on the silicon substrate; and a back plate deposited on the air-gap-forming portion or on the silicon substrate so as to be separated from the membrane and to form a gap with the membrane for an air gap.
(FR)
La présente invention concerne un microphone en technologie de microsystème électromécanique ou technologie "MEMS" (Microelectromechanical System) et un procédé de fabrication correspondant, l'invention permettant de former de façon précise un intervalle entre une membrane et une platine arrière, par réalisation d'une partie formant entrefer sur un substrat de silicium, puis par dépôt de la membrane et de la platine arrière sur cette partie. Aussi, avec le microphone en technologie MEMS et le procédé de fabrication correspondant, du fait qu'on fabrique la membrane et/ou la platine arrière selon un procédé de plaquage non galvanique, le traitement d'aplanissement d'une couche sacrificielle peut être simplifié, et la réduction et suppression de contrainte résiduelle peut être facilitée. Le microphone en technologie MEMS de la présente invention comprend: un substrat de silicium définissant une chambre postérieure et une partie formant entrefer réalisée par attaque chimique dans une partie supérieure de la chambre postérieure, jusqu'à une profondeur prédéterminée; une membrane déposée sur la partie formant entrefer du substrat de silicium ou sur le substrat de silicium; et une platine postérieure déposée sur la partie formant entrefer ou sur le substrat de silicium de façon à être séparée de la membrane et de former avec la membrane un intervalle destiné à un entrefer.
(KO)
본 발명은 실리콘 기판에 에어갭 형성부를 형성한 후 멤브레인과 백 플레이트를 증착시키므로 멤브레인과 백 플레이트 사이의 간격을 정확하게 형성할 수 있는 멤스 마이크로폰 및 그 제조방법에 관한 것이다. 또한, 무전해도금 공정을 사용하여 멤브레인 또는/및 백 플레이트를 제작함으로써, 희생층의 평탄화 공정이 간단하며 잔류 응력의 감소 및 조절을 용이하게 할 수 있는 멤스(MEMS) 마이크로폰 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 백 챔버가 형성되고, 상기 백 챔버의 상측에 기 설정된 깊이로 식각됨에 따라 에어갭 형성부가 형성된 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판의 에어갭 형성부 또는 실리콘 기판에 증착되는 멤브레인; 및 상기 멤브레인과 이격되도록 상기 에어갭 형성부 또는 실리콘 기판에 증착되어 상기 멤브레인과의 사이에 에어갭의 간격을 형성하는 백 플레이트;를 포함하는 멤스 마이크로폰 및 그 제조방법을 제공한다.
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