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1. WO2011055734 - CAPTEUR DE PRESSION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CAPTEUR DE PRESSION

Numéro de publication WO/2011/055734
Date de publication 12.05.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2010/069550
Date du dépôt international 04.11.2010
CIB
G01L 9/00 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
LMESURE DES FORCES, DES CONTRAINTES, DES COUPLES, DU TRAVAIL, DE LA PUISSANCE MÉCANIQUE, DU RENDEMENT MÉCANIQUE OU DE LA PRESSION DES FLUIDES
9Mesure de la pression permanente, ou quasi permanente d'un fluide ou d'un matériau solide fluent par des éléments électriques ou magnétiques sensibles à la pression; Transmission ou indication par des moyens électriques ou magnétiques du déplacement des éléments mécaniques sensibles à la pression, utilisés pour mesurer la pression permanente ou quasi permanente d'un fluide ou d'un matériau solide fluent
H01L 29/84 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
84commandés par la variation d'une force mécanique appliquée, p.ex. d'une pression
CPC
G01L 9/0045
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
9Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements
0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
0042Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
0045Diaphragm associated with a buried cavity
G01L 9/0047
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
9Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements
0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
0042Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
0047Diaphragm with non uniform thickness, e.g. with grooves, bosses or continuously varying thickness
G01L 9/0054
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
9Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements
0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
0051using variations in ohmic resistance
0052of piezoresistive elements
0054integral with a semiconducting diaphragm
Déposants
  • ローム株式会社 Rohm Co., Ltd. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 西影 治彦 NISHIKAGE Haruhiko [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 藤田 有真 FUJITA Toma [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 西影 治彦 NISHIKAGE Haruhiko
  • 藤田 有真 FUJITA Toma
Mandataires
  • 吉田 稔 YOSHIDA Minoru
Données relatives à la priorité
2009-25290304.11.2009JP
2009-25675910.11.2009JP
2009-25676010.11.2009JP
2009-25871012.11.2009JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PRESSURE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING PRESSURE SENSOR
(FR) CAPTEUR DE PRESSION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CAPTEUR DE PRESSION
(JA) 圧力センサおよび圧力センサの製造方法
Abrégé
(EN)
Disclosed is a pressure sensor (1) which comprises: a semiconductor substrate (10); insulating layers (21, 22, 23) that are laminated on the semiconductor substrate (10); a semiconductor layer (30) that is arranged on the semiconductor substrate (10) with the insulating layers (21, 23) sandwiched therebetween; and a cavity portion (13) that is provided between the semiconductor substrate (10) and the semiconductor layer (30). A region of the semiconductor layer (30), said region overlapping the cavity portion (13) when viewed in the lamination direction, forms a movable portion (31), and the cavity portion (13) is surrounded by the insulating layers (22, 23). Due to this configuration, the pressure sensor (1) can be produced more easily with higher accuracy.
(FR)
L'invention porte sur un capteur de pression (1) qui comprend : un substrat à semi-conducteur (10) ; des couches isolantes (21, 22, 23) qui sont stratifiées sur le substrat à semi-conducteur (10) ; une couche semi-conductrice (30) agencée sur le substrat à semi-conducteur (10), les couches isolantes (21, 23) étant prises en sandwich entre ceux-ci ; et une partie cavité (13) qui est disposée entre le substrat à semi-conducteur (10) et la couche semi-conductrice (30). Une région de la couche semi-conductrice (30), ladite région chevauchant la partie cavité (13) lorsqu'elle est vue dans la direction de stratification, forme une partie mobile (31), et la partie cavité (13) est entourée par les couches isolantes (22, 23). En raison de cette configuration, le capteur de pression (1) peut être produit plus facilement avec une précision plus élevée.
(JA)
 圧力センサ1は、半導体基板10と、半導体基板10上に積層された絶縁体層21,22,23と、半導体基板10上に、絶縁体層21,23を挟んで積層された半導体層30と、半導体基板10と半導体層30との間に設けられた空洞部13と、を備えており、半導体層30の積層方向視において空洞部13と重なる領域が可動部31となっており、空洞部13は、絶縁体層22,23によって囲まれている。このような構成により、圧力センサ1を、より高精度、かつ、より容易に製造可能することができる。
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