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1. WO2011052817 - DISPOSITIF DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR PAR COMPOSÉS ORGANOMÉTALLIQUES ET PROCÉDÉ DE RÉGULATION DE TEMPÉRATURE ASSOCIÉ

Numéro de publication WO/2011/052817
Date de publication 05.05.2011
N° de la demande internationale PCT/KR2009/006260
Date du dépôt international 28.10.2009
CIB
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
H01L 21/683 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
H01L 21/687 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
687en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
CPC
C23C 16/46
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
46characterised by the method used for heating the substrate
C23C 16/52
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
52Controlling or regulating the coating process
G05B 19/41875
GPHYSICS
05CONTROLLING; REGULATING
BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
19Programme-control systems
02electric
418Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS], computer integrated manufacturing [CIM]
41875characterised by quality surveillance of production
G05B 2219/45031
GPHYSICS
05CONTROLLING; REGULATING
BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
2219Program-control systems
30Nc systems
45Nc applications
45031Manufacturing semiconductor wafers
H01L 21/67248
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
67248Temperature monitoring
H01L 21/68764
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
687using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
68714the wafers being placed on a susceptor, stage or support
68764characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
Déposants
  • 엘아이지에이디피 주식회사 LIGADP CO., LTD. [KR]/[KR] (AllExceptUS)
  • 홍성재 HONG, Sung Jae [KR]/[KR] (UsOnly)
Inventeurs
  • 홍성재 HONG, Sung Jae
Mandataires
  • 양문옥 YANG, Moon Ock
Données relatives à la priorité
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE AND TEMPERATURE CONTROL METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR PAR COMPOSÉS ORGANOMÉTALLIQUES ET PROCÉDÉ DE RÉGULATION DE TEMPÉRATURE ASSOCIÉ
(KO) 금속 유기물 화학 기상 증착장치 및 이를 위한 온도제어방법
Abrégé
(EN)
The present invention provides a metal organic chemical vapor deposition device and a temperature control method therefor. The device comprises: a chamber; a susceptor which is installed inside the chamber to allow rotation therein, wherein at least one substrate is settled thereon; a plurality of heaters which heat the susceptor, wherein the temperature is independently controlled; a gas sprayer which is positioned in the upper part of the susceptor, and sprays gases of group III and V toward the susceptor; a plurality of temperature detection sensors which are positioned in the upper part of the susceptor, and measure the temperature of heating regions heated by each heater; and a controller which retains temperature setting values required for the heating regions, and controls the temperature of the heating regions by comparing sensing temperature values sensed by each temperature detection sensor with the setting values required for the heating regions. According to the present invention, the metal organic chemical vapor deposition device and the temperature control method therefor can uniformly apply necessary temperature ramping to the entire substrates during process by effectively adjusting the temperature conditions essential for every epitaxial process in the metal organic chemical vapor deposition device, which carries out the process by changing the temperature up to 1200℃ from room temperature. Therefore, the invention improves process efficiency and deposition uniformity.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de dépôt chimique en phase vapeur par composés organométalliques, ainsi qu'un procédé de régulation de température associé. Le dispositif comprend : une chambre ; un suscepteur disposé à l'intérieur de la chambre de sorte à pouvoir pivoter, au moins un substrat étant placé sur ledit suscepteur ; une pluralité d'éléments chauffants destinés à chauffer le suscepteur, la température étant régulée indépendamment ; un pulvérisateur de gaz disposé dans la partie supérieure du suscepteur et destiné à pulvériser des gaz du groupe III et V en direction du suscepteur ; une pluralité de capteurs de détection de température disposés dans la partie supérieure du suscepteur et destinés à mesurer la température des zones chauffées par chaque élément chauffant ; et une unité de commande conservant les valeurs de réglage de température requises pour les zones de chauffage et régulant la température des zones de chauffage par comparaison des valeurs de température détectées par chaque capteur avec les valeurs de réglage requises pour les zones de chauffage. Selon l'invention, le dispositif de dépôt chimique en phase vapeur par composés organométalliques et le procédé de régulation de température associé permettent d'appliquer uniformément une augmentation de température nécessaire sur l'intégralité des substrats pendant le processus, par une régulation efficace des conditions de température requises par chaque processus épitaxial dans le dispositif qui met en oeuvre le processus par variation de la température jusqu'à 1200°C, à partir de la température ambiante. La présente invention permet donc d'améliorer l'efficacité du processus ainsi que l'uniformité de dépôt.
(KO)
본 발명에 따른 금속 유기물 화학 기상 증착장치 및 이를 위한 온도제어방법은 챔버; 상기 챔버 내부에 회전 가능하게 설치되며 적어도 하나 이상의 기판이 안착되는 서셉터; 상기 서셉터를 가열하며 독립적으로 온도가 제어되는 복수개의 히터; 상기 서셉터 상부에 위치하여 상기 서셉터 측으로 3족과 5족 가스를 분사하는 가스 분사부; 상기 서셉터 상부에 위치하며 상기 각각의 히터에 의하여 가열되는 가열영역의 온도를 측정하는 복수개의 온도 감지센서; 상기 가열영역에 요구되는 온도 셋팅값을 보유하고, 상기 각각의 온도 감지센서에서 감지한 상기 감지 온도값과 상기 가열영역에 요구되는 셋팅값을 비교하여 상기 가열영역의 온도를 제어하는 제어부를 구비하는 것으로, 본 발명에 따른 금속 유기물 화학 기상 증착장치 및 이를 위한 온도제어방법은 상온 ~ 섭씨 1200도까지 온도가 변화하면서 공정을 수행하는 금속 유기물 화학 기상 증착장치에서 에피텍셜 공정마다 필요한 온도 조건을 효과적으로 조절하도록 하여 공정 수행중 필요한 온도 램핑이 전체 기판들에 고르게 이루어지도록 하여 증착 균일성의 향상과 공정 효율을 향상시키도록 하는 효과가 있다.
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