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1. WO2011049829 - CELLULE DE MÉMOIRE COMPRENANT UN ÉLÉMENT DE COMMUTATION À RÉSISTANCE RÉVERSIBLE À BASE DE CARBONE COMPATIBLE AVEC UN ÉLÉMENT DE DIRECTION, ET PROCÉDÉS DE FORMATION ASSOCIÉS

Numéro de publication WO/2011/049829
Date de publication 28.04.2011
N° de la demande internationale PCT/US2010/052855
Date du dépôt international 15.10.2010
CIB
H01L 27/24 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
24comprenant des composants à l'état solide pour le redressement, l'amplification ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface
H01L 45/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/3213 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321Post-traitement
3213Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
CPC
H01L 21/02115
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02115the material being carbon, e.g. alpha-C, diamond or hydrogen doped carbon
H01L 21/02274
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
0226formation by a deposition process
02263deposition from the gas or vapour phase
02271deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
02274in the presence of a plasma [PECVD]
H01L 21/32139
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
321After treatment
3213Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
32139using masks
H01L 27/2409
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
24including solid state components for rectifying, amplifying or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, ; e.g. resistance switching non-volatile memory structures
2409comprising two-terminal selection components, e.g. diodes
H01L 27/2481
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
24including solid state components for rectifying, amplifying or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, ; e.g. resistance switching non-volatile memory structures
2463Arrangements comprising multiple bistable or multistable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays, details of the horizontal layout
2481arranged in a direction perpendicular to the substrate, e.g. 3D cell arrays, details of the vertical layout
H01L 45/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
Déposants
  • SANDISK 3D, LLC [US]/[US] (AllExceptUS)
  • XU, Huiwen [CN]/[US] (UsOnly)
  • PING, Er-Xuan [US]/[US] (UsOnly)
  • COSTA, Xiying [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • XU, Huiwen
  • PING, Er-Xuan
  • COSTA, Xiying
Mandataires
  • DUGAN, Brian M.
Données relatives à la priorité
12/834,94213.07.2010US
61/254,62723.10.2009US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) A MEMORY CELL THAT INCLUDES A CARBON-BASED REVERSIBLE RESISTANCE SWITCHING ELEMENT COMPATIBLE WITH A STEERING ELEMENT, AND METHODS OF FORMING THE SAME
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE COMPRENANT UN ÉLÉMENT DE COMMUTATION À RÉSISTANCE RÉVERSIBLE À BASE DE CARBONE COMPATIBLE AVEC UN ÉLÉMENT DE DIRECTION, ET PROCÉDÉS DE FORMATION ASSOCIÉS
Abrégé
(EN)
Memory cells, and methods of forming such memory cells, are provided that include a steering element (14) coupled to a carbon-based reversible resistivity switching material (12) that has an increased resistivity, and a switching current that is less than a maximum current capability of the steering element used to control current flow through the carbon -based reversible resistivity switching material. In particular embodiments, methods and apparatus in accordance with this invention form a steering element, such as a diode, having a first width, coupled to a reversible resistivity switching material, such as aC, having a second width smaller than the first width.
(FR)
La présente invention concerne des cellules de mémoire, et des procédés de formation de telles cellules de mémoire, qui comprennent un élément de direction (14) couplé à un matériau de commutation à résistivité réversible à base de carbone (12) présentant une résistivité plus importante, et un courant de commutation inférieur à une capacité de courant maximum de l'élément de direction utilisé pour réguler le flux de courant à travers le matériau de commutation à résistivité réversible à base de carbone. Dans des modes de réalisation particuliers, des procédés et des appareils selon la présente invention forment un élément de direction, tel qu'une diode, qui présente une première largeur et est accouplé avec un matériau de commutation à résistivité réversible, tel que aC, qui présente une seconde largeur inférieure à la première largeur.
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