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1. WO2011046169 - PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MICROSTRUCTURE

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Numéro de publication WO/2011/046169
Date de publication 21.04.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2010/068047
Date du dépôt international 14.10.2010
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
B81C 1/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
CPROCÉDÉS OU APPAREILS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À LA FABRICATION OU AU TRAITEMENT DE DISPOSITIFS OU DE SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE
1Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
CPC
B81C 1/00126
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00015for manufacturing microsystems
00023without movable or flexible elements
00126Static structures not provided for in groups B81C1/00031 - B81C1/00119
B81C 99/002
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
99Subject matter not provided for in other groups of this subclass
0005Apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of microstructural devices or systems, or methods for manufacturing the same
002Apparatus for assembling MEMS, e.g. micromanipulators
G03F 1/38
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
38Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
G03F 1/50
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
50Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
G03F 1/62
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
G03F 7/0037
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
0037Production of three-dimensional images
Déposants
  • 国立大学法人京都大学 Kyoto University [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 国立大学法人　香川大学 Kagawa University [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 鈴木　孝明 SUZUKI Takaaki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 小寺　秀俊 KOTERA Hidetoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 神野　伊策 KANNO Isaku [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 平丸　大介 HIRAMARU Daisuke [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 鈴木　孝明 SUZUKI Takaaki
  • 小寺　秀俊 KOTERA Hidetoshi
  • 神野　伊策 KANNO Isaku
  • 平丸　大介 HIRAMARU Daisuke
Mandataires
  • 山本俊則 YAMAMOTO Toshinori
Données relatives à la priorité
2009-23770914.10.2009JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PRODUCING MICROSTRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MICROSTRUCTURE
(JA) 微細構造体の作製方法
front page image
Abrégé
(EN)
The disclosed method for producing a microstructure can form a complicated three-dimensionally formed microstructure with few steps. A first mask pattern (22) containing a light transmitting section and a light blocking section is disposed along an unexposed photosensitive resin (42), and a second mask pattern (32) containing a light transmitting section and a light blocking section is disposed on the reverse side of the first mask pattern (22) from the photosensitive resin (42). Additionally, by means of integrally rotating the photosensitive resin (42) and the first mask pattern (22) around a central axis (Z) that passes through the photosensitive resin (42) and the first mask pattern (22), and at the same time radiating exposure light from the reverse side of the second mask pattern (32) from the photosensitive resin (42) and the first mask pattern (22) in a direction that is inclined obliquely with respect to the direction of the central axis (Z), the light beam of the exposure light that is transmitted through the light transmitting section of the second mask pattern (32) and the light transmitting section of the first mask pattern (22) exposes the photosensitive resin (42).
(FR)
La présente invention concerne un procédé de production d'une microstructure pouvant former une microstructure complexe conformée en trois dimensions comprenant un nombre limité d'étapes. Un premier dessin de masque (22) contenant une section de transmission de lumière et une section de blocage de lumière est disposé le long d'une résine photosensible non exposée (42), et un second dessin de masque (32) contenant une section de transmission de lumière et une section de blocage de lumière est disposé au verso du premier dessin de masque (22) depuis la résine photosensible (42). En outre, grâce à la rotation intégrale de la résine photosensible (42) et du premier dessin de masque (22) autour d'un axe central (Z) qui traverse la résine photosensible (42) et le premier dessin de masque (22), et au rayonnement simultané d'une lumière d'exposition provenant du verso du second dessin de masque (32) depuis la résine photosensible (42) et le premier dessin de masque (22) dans une direction qui est inclinée obliquement par rapport à la direction de l'axe central (Z), le faisceau lumineux de la lumière d'exposition qui est transmise à travers la section de transmission de lumière du second dessin de masque (32) et la section de transmission de lumière du premier dessin de masque (22) expose la résine photosensible (42).
(JA)
　複雑な立体形状の微細構造体を少ない工程で形成することができる微細構造体の作製方法を提供する。　未露光の感光性樹脂４２に沿って、透光部と遮光部とを含む第１のマスクパターン２２を配置するとともに、第１のマスクパターン２２に関して感光性樹脂４２とは反対側に、透光部と遮光部とを含む第２のマスクパターン３２を配置する。次いで、感光性樹脂４２及び第１のマスクパターン２２を貫通する中心軸Ｚを中心に、感光性樹脂４２及び第１のマスクパターン２２を一体回転させながら、第２のマスクパターン３２に関して感光性樹脂４２及び第１のマスクパターン２２とは反対側から、中心軸Ｚの方向に対して斜めに傾いた方向から露光光を照射することにより、第２のマスクパターン３２の透光部と第１のマスクパターン２２の透光部とを透過した露光光の光束を、感光性樹脂４２に露光する。
Également publié en tant que
US20120214104
JPWO2011046169
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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