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1. WO2011040078 - DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE

Numéro de publication WO/2011/040078
Date de publication 07.04.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2010/057768
Date du dépôt international 06.05.2010
CIB
H01L 31/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
CPC
H01L 31/022466
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022466made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
H01L 31/076
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
075the potential barriers being only of the PIN type
076Multiple junction or tandem solar cells
Y02E 10/548
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
548Amorphous silicon PV cells
Déposants
  • 三菱重工業株式会社 MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 坂井 智嗣 SAKAI, Satoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 小林 靖之 KOBAYASHI, Yasuyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 坂井 智嗣 SAKAI, Satoshi
  • 小林 靖之 KOBAYASHI, Yasuyuki
Mandataires
  • 藤田 考晴 FUJITA, Takaharu
Données relatives à la priorité
2009-22459729.09.2009JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置
Abrégé
(EN)
Provided is a photoelectric conversion device provided with an intermediate contact layer, the reflection characteristics of which are optimized. A photoelectric conversion device (100) is provided with a transparent electrode layer (2) which is provided on a substrate (1) and which is provided with an uneven structure on a surface opposite to the substrate (1), a photoelectric conversion layer (3) comprised of two power generation layers (91, 92), an underside electrode layer (4), and an intermediate contact layer (5) provided between the two power generation layers (91, 92). The intermediate contact layer (5) is comprised of a titanium oxide film mainly composed of titanium oxide, and an underside transparent conductive film mainly composed of transparent conductive oxide, in this order from the substrate (1) side. The thickness of the titanium oxide film is in a range of 65-110 nm inclusive when the thickness of the underside transparent conductive film is 5 nm, and likewise, 65-95 nm inclusive when 10 nm, 65-90 nm inclusive when 15 nm, 60-85 nm inclusive when 20 nm, 55-70 nm inclusive when 25 nm, and 55-65 nm inclusive when 30 nm.
(FR)
La présente invention se rapporte à un dispositif de conversion photoélectrique comprenant une couche de contact intermédiaire, dont les propriétés de réfléchissement sont optimisées. Selon l'invention, un dispositif de conversion photoélectrique (100) comprend : une couche d'électrode transparente (2) qui est placée sur un substrat (1) et qui comprend une structure irrégulière sur une surface opposée au substrat (1) ; une couche de conversion photoélectrique (3) comprenant deux couches de génération de puissance (91, 92) ; une couche d'électrode inférieure (4) ; et une couche de contact intermédiaire (5) placée entre les deux couches de génération de puissance (91, 92). La couche de contact intermédiaire (5) comprend une couche mince d'oxyde de titane principalement composée d'oxyde de titane, et une couche mince conductrice transparente inférieure principalement composée d'un oxyde conducteur transparent, dans cet ordre, depuis le côté substrat (1). L'épaisseur de la couche mince d'oxyde de titane se situe dans une plage allant de 65 à 110 nm inclus quand l'épaisseur de la couche mince conductrice transparente inférieure est de 5 nm et, de la même manière, elle se situe dans une plage allant de 65 à 95 nm inclus quand l'épaisseur de la couche mince conductrice transparente inférieure est de 10 nm, dans une plage allant de 65 à 90 nm inclus quand l'épaisseur de la couche mince conductrice transparente inférieure est de 15 nm, dans une plage allant de 60 à 85 nm inclus quand l'épaisseur de la couche mince conductrice transparente inférieure est de 20 nm, dans une plage allant de 55 à 70 nm inclus quand l'épaisseur de la couche mince conductrice transparente inférieure est de 25 nm, et dans une plage allant de 55 à 65 nm inclus quand l'épaisseur de la couche mince conductrice transparente inférieure est de 30 nm.
(JA)
 反射特性が最適化された中間コンタクト層を備える光電変換装置を提供する。基板(1)上に基板(1)と反対側の表面に凹凸構造を備える透明電極層(2)と、2つの発電層(91,92)からなる光電変換層(3)と、裏面電極層(4)と、2つの発電層(91,92)の間に設けられる中間コンタクト層(5)とを備え、中間コンタクト層(5)が、基板(1)側から順に、酸化チタンを主とする酸化チタン膜と、透明導電性酸化物を主とする裏面側透明導電膜とを含み、酸化チタン膜の膜厚が、裏面側透明導電膜の膜厚が5nmのときに65nm以上110nm以下、10nmのときに65nm以上95nm以下、15nmのときに65nm以上90nm以下、20nmのときに60nm以上85nm以下、25nmのときに55nm以上70nm以下、及び、30nmのときに55nm以上65nm以下で表される領域の範囲内である光電変換装置(100)。
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