(EN) Disclosed is a semiconductor device which comprises an insulating film (105) that is formed on a substrate (101), and a buried wiring line (115) that is formed in the insulating film (105) and composed of a material containing copper. A barrier film (110) that is composed of a material containing a platinum group element is formed between the insulating film (105) and the buried wiring line (115). A high-density insulating film (109) that has a higher density than the insulating film (105) is formed between the insulating film (105) and the barrier film (110).
(FR) La présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteur qui comprend un film isolant (105) qui est formé sur un substrat (101), et une ligne de câblage enterrée (115) qui est formée dans le film isolant (105) et qui est constituée d'un matériau contenant du cuivre. Un film d'arrêt (110) qui est constitué d'un matériau contenant un élément de groupe platine est formé entre le film isolant (105) et la ligne de câblage enterrée (115). Un film isolant haute densité (109) qui présente une densité supérieure à celle du film isolant (105) est formé entre le film isolant (105) et le film d'arrêt (110).
(JA) 半導体装置は、基板101の上に形成された絶縁膜105と、絶縁膜105中に形成された、銅を含む材料からなる埋め込み配線115とを備えている。絶縁膜105と埋め込み配線115との間には、白金族元素を含む材料からなるバリア膜110が形成されている。絶縁膜105とバリア膜110との間には、絶縁膜105よりも密度が高い高密度絶縁膜109が形成されている。