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1. (WO2010095021) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MONOCRISTAL DE SIC DE TYPE N, MONOCRISTAL DE SIC DE TYPE N AINSI OBTENU ET SON APPLICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/095021    N° de la demande internationale :    PCT/IB2010/000314
Date de publication : 26.08.2010 Date de dépôt international : 18.02.2010
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.12.2010    
CIB :
C30B 29/36 (2006.01), H01L 21/04 (2006.01), C30B 15/00 (2006.01), C30B 19/00 (2006.01)
Déposants : TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi Aichi-ken, 471-8571 (JP) (Tous Sauf US).
SEKI, Akinori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJIWARA, Yasuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SEKI, Akinori; (JP).
FUJIWARA, Yasuyuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-036905 19.02.2009 JP
Titre (EN) PRODUCTION METHOD OF N-TYPE SIC SINGLE CRYSTAL, N-TYPE SIC SINGLE CRYSTAL OBTAINED THEREBY AND APPLICATION OF SAME
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MONOCRISTAL DE SIC DE TYPE N, MONOCRISTAL DE SIC DE TYPE N AINSI OBTENU ET SON APPLICATION
Abrégé : front page image
(EN)A method for producing n-type SiC single crystal, including: adding gallium and nitrogen, which is a donor element, for obtaining an n-type semiconductor during crystal growth of SiC single crystal, such that the amount of nitrogen as represented in atm unit is greater than the amount of gallium as represented in atm unit; an n-type SiC single crystal obtained according to this production method; and, a semiconductor device that includes the n-type SiC single crystal.
(FR)Procédé de fabrication d'un monocristal de SiC consistant à ajouter du gallium et de l'azote, qui est un élément donneur, en vue de l'obtention de l'obtention d'un semi-conducteur de type n pendant la poussée du monocristal de SiC de telle sorte que la quantité d'azote comme représenté dans une unité atm soit supérieure à la quantité de gallium comme représenté dans une unité atm ; et monocristal de Sic de type n obtenu par ce procédé ; et dispositif semi-conducteur comprenant ce monocristal de SiC de type n.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)