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1. (WO2010093058) PHOTOTRANSISTOR BIPOLAIRE À HÉTÉROJONCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/093058    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/052485
Date de publication : 19.08.2010 Date de dépôt international : 12.02.2010
CIB :
H01L 31/10 (2006.01)
Déposants : NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP) (Tous Sauf US).
OGURA Mutsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
CHOI SungWoo; (JP) (US Seulement).
HAYAMA Nobuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIDA Katsuhiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OGURA Mutsuo; (JP).
CHOI SungWoo; (JP).
HAYAMA Nobuyuki; (JP).
NISHIDA Katsuhiko; (JP)
Mandataire : FUKUDA Kenzo; Kashiwaya Bldg., 6-13, Nishishinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-031235 13.02.2009 JP
2009-031236 13.02.2009 JP
Titre (EN) HETEROJUNCTION BIPOLAR PHOTOTRANSISTOR
(FR) PHOTOTRANSISTOR BIPOLAIRE À HÉTÉROJONCTION
(JA) ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタ
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an HPT that is highly sensitive while also having wideband wavelength characteristics. A combination collector-barrier layer (5) formed on top of a light absorption layer (6) is a semiconductor layer with a higher energy level than that of the light absorption layer (6) in the conduction band, nearly equal or higher energy level than that of the light absorption layer (6) in the valence band, and a relatively wider gap than the light absorption layer. A base layer (4) formed on top of the combination collector-barrier layer (5) has a relatively narrower gap than the collector-barrier layer (5), and in the conduction band has an equal or higher energy level than that of the collector-barrier layer (5) at the interface with the collector-barrier layer (5). An emitter layer (3) formed on top of the base layer (4) is a semiconductor layer of a first conductive type with a relatively wider gap than the base layer (4), an equal or lower energy level at the interface with the base layer (4) than that of the base layer (4) in the conduction band, and a lower energy level than that of the base layer (4) in the valence band.
(FR)La présente invention a trait à un HPT qui est fortement sensible tout en ayant également des caractéristiques de longueur d'onde à large bande. Une combinaison de couche collectrice/d'arrêt (5) formée sur la partie supérieure d'une couche d'absorption de lumière (6) est une couche semi-conductrice dotée d'un niveau d'énergie plus élevé que celui de la couche d'absorption de lumière (6) dans la bande de conduction, quasiment égal ou supérieur au niveau d'énergie de la couche d'absorption de lumière (6) dans la bande de valence, et un écartement relativement plus large que celui de la couche d'absorption de lumière. Une couche de base (4) formée sur la partie supérieure de la combinaison de couche collectrice/d'arrêt (5) est pourvue d'un écartement relativement plus étroit que celui de la couche collectrice/d'arrêt (5), et, dans la bande de conduction, est pourvue d'un niveau d'énergie supérieur ou égal à celui de la couche collectrice/d'arrêt (5) à l'interface avec la couche collectrice/d'arrêt (5). Une couche d'émetteur (3) formée sur la partie supérieure de la couche de base (4) est une couche semi-conductrice d'un premier type de conductivité dotée d'un écartement relativement plus large que celui de la couche de base (4), d'un niveau d'énergie inférieur ou égal au niveau de l'interface à celui de la couche de base (4) par rapport à celui de la couche de base (4) dans la bande de conduction, et d'un niveau d'énergie inférieur à celui de la couche de base (4) dans la bande de valence.
(JA) 高感度でしかも広波長帯域特性を有するHPTを提供する。 光吸収層(6)の上に形成されるコレクタ兼バリア層(5)は、伝導帯におけるエネルギ準位は光吸収層(6)のそれよりは高く、価電子帯におけるエネルギ準位は光吸収層(6)のそれにほぼ一致するか高い、相対的に光吸収層よりワイドギャップな半導体層とする。 コレクタ兼バリア層(5)の上に形成されるベース層(4)は、コレクタ兼バリア層(5)に比して相対的にナローギャップで、その伝導帯におけるエネルギ準位はコレクタ兼バリア層(5)との界面においてコレクタ兼バリア層(5)のそれに一致するか高いものとする。  ベース層(4)の上に形成されるエミッタ層(3)は、ベース層(4)に比して相対的にワイドギャップで、伝導帯におけるエネルギ準位はベース層(4)との界面においてベース層4のそれに一致するか低く、価電子帯におけるエネルギ準位はベース層(4)のそれよりは低い第一導電型の半導体層とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)