(EN) The invention relates to an electronic tube that comprises: a microwave structure (10, 30) having a housing (12, 32) under vacuum and having two ends, the microwave structure being subjected to a reference potential (M); an electron canon (34) including a cathode (36) for providing an electron beam (16, 38) along an axis ZZ’ at one end of the housing under vacuum; an electron collector (40) for collecting the beam electrons at the other end of the housing under vacuum; at least one high-voltage power supply for applying a high-voltage potential (HT) to the cathode (36) that is negative relative to the reference potential (M). The tube includes, between the cathode (36) and the microwave structure, a positive-ion extraction device (Pe) that comprises at least one electrode (e2) subjected to a potential (Vp) that is negative relative to the reference potential (M) in order to extract the positive ions (In) from the housing under vacuum, the positive ions being generated by the shock between the electrons of the electron beam and the residual gas molecules in the housing under vacuum. The invention can be used in microwave electronic tubes, TOP klystrons, etc., using a cylindrical electron beam.
(FR) L'invention concerne un tube électronique comportant : - une structure hyperfréquences (10, 30) ayant une enveloppe (12,32) sous vide comportant deux extrémités, la structure hyperfréquence étant sous un potentiel de référence (M), - un canon à électrons (34) comportant une cathode (36) pour fournir un faisceau (16, 38) d'électrons, selon un axe ZZ', à une extrémité de l'enveloppe sous vide, - un collecteur (40) d'électrons pour recueillir des électrons du faisceau à l'autre extrémité de l'enveloppe sous vide, - au moins une alimentation haute tension pour appliquer à la cathode (36) un potentiel haute tension (HT) négatif par rapport au potentiel de référence (M). Le tube comporte entre la cathode (36) et la structure hyperfréquences un dispositif (Pe) d'extraction des ions positifs comportant au moins une électrode (e2) portée à un potentiel négatif (Vp) par rapport au potentiel de référence (M) pour extraire des ions positifs (In) de l'enveloppe sous vide, ces ions positifs étant produits par le choc des électrons du faisceau d'électrons avec des molécules de gaz résiduel dans l'enveloppe sous vide. Application : tubes électroniques hyperfréquences, TOP klystron etc. utilisant un faisceau d'électrons cylindrique.