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1. WO2010026704 - ELEMENT MAGNETORESISTIF, PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE ET SUPPORT DE STOCKAGE UTILISE DANS CE PROCEDE

Numéro de publication WO/2010/026704
Date de publication 11.03.2010
N° de la demande internationale PCT/JP2009/003872
Date du dépôt international 12.08.2009
CIB
H01L 43/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08Résistances commandées par un champ magnétique
G11B 5/39 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
BENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
5Enregistrement par magnétisation ou démagnétisation d'un support d'enregistrement; Reproduction par des moyens magnétiques; Supports d'enregistrement correspondants
127Structure ou fabrication des têtes, p.ex. têtes à variation d'induction
33Structure ou fabrication de têtes sensibles à un flux
39utilisant des dispositifs magnétorésistifs
H01F 10/16 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
FAIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
08caractérisées par les couches magnétiques
10caractérisées par la composition
12Métaux ou alliages
16contenant du cobalt
H01F 10/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
FAIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
32Multicouches couplées par échange de spin, p.ex. superréseaux à structure nanométrique
H01L 21/8246 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8239Structures de mémoires
8246Structures de mémoires mortes (ROM)
H01L 27/105 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
B82Y 25/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
25Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
C23C 14/165
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
14Metallic material, boron or silicon
16on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
165by cathodic sputtering
C23C 14/3414
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
C23C 14/568
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
568Transferring the substrates through a series of coating stations
Déposants
  • キヤノンアネルバ株式会社 CANON ANELVA CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 栗林正樹 KURIBAYASHI, Masaki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • ジャヤプラウィラダビッド ジュリアント DJAYAPRAWIRA, David Djulianto [ID]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 栗林正樹 KURIBAYASHI, Masaki
  • ジャヤプラウィラダビッド ジュリアント DJAYAPRAWIRA, David Djulianto
Mandataires
  • 渡辺敬介 WATANABE, Keisuke
Données relatives à la priorité
2008-22717804.09.2008JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) MAGNETORESISTIVE ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND STORAGE MEDIUM USED IN THE MANUFACTURING METHOD
(FR) ELEMENT MAGNETORESISTIF, PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE ET SUPPORT DE STOCKAGE UTILISE DANS CE PROCEDE
(JA) 磁気抵抗素子とその製造方法、該製造方法に用いる記憶媒体
Abrégé
(EN)
A magnetoresistive element having a higher MR ratio than conventional magnetoresistive elements, and a method for manufacturing the magnetoresistive element. The magnetoresistive element comprises a substrate, a magnetization fixed layer, a magnetization free layer, and a tunnel barrier layer arranged between the magnetization fixed layer and the magnetization free layer.  The magnetization free layer is so formed as to have a multilayer structure which is composed of a crystalline first ferromagnetic layer formed from an alloy containing Co atoms, Fe atoms and B atoms and a crystalline second ferromagnetic layer formed from an alloy containing Ni atoms, Fe atoms and B atoms.
(FR)
L'invention concerne un élément magnétorésistif présentant un rapport de magnétorésistance supérieur à celui des éléments magnétorésistifs classiques, ainsi qu'un procédé de fabrication associé. L'élément magnétorésistif selon l'invention comprend un substrat, une couche à magnétisation fixe, une couche exempte de magnétisation et une couche barrière à effet tunnel disposée entre la couche à magnétisation fixe et la couche exempte de magnétisation. La couche exempte de magnétisation est formée de sorte à présenter une structure multicouche composée d'une première couche ferromagnétique constituée d'un alliage contenant des atomes de Co, des atomes de Fe et des atomes de B, et d'une deuxième couche ferromagnétique cristalline constituée d'un alliage contenant des atomes de Ni, des atomes de Fe et des atomes de B.
(JA)
 従来よりも高いMR比を持った磁気抵抗素子とその製造方法を提供する。  基板、磁化固定層、磁化自由層、及び該磁化固定層と該磁化自由層との間に位置するトンネルバリア層を有する磁気抵抗素子において、前記磁化自由層を、Co原子、Fe原子及びB原子を含有する合金からなる結晶性第一強磁性体層と、Ni原子、Fe原子及びB原子を含有する合金からなる結晶性第二強磁性体層とからなる積層構成とする。
Également publié en tant que
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