(EN) A method which can advantageously produce a graphene/SiC composite material wherein a large-area graphene which is flat on the atomic level is formed as a layer on an SiC single crystal substrate. The graphene/SiC composite material is produced as follows: an oxide coating film which is formed by natural oxidation and covers the surface of the SiC single crystal substrate is removed, thereby exposing the Si surface of the SiC single crystal substrate; then the SiC single crystal substrate, which has an exposed Si surface, is heated in an oxygen atmosphere, thereby forming an SiO2 layer on the surface of the SiC single crystal substrate; and then the SiC single crystal substrate provided with the SiO2 layer is heated in a vacuum, thereby forming one or more layers of graphene on the SiC single crystal substrate.
(FR) L'invention propose un procédé de fabrication qui permet de fabriquer de façon rentable un matériau composite de graphène sur carbure de silicium (graphène/SiC) : à l'échelle atomique, un graphène en un plan et de grande surface est formée par stratification sur un substrat de monocristal de carbure de silicium (SiC). On expose la surface du silicium dudit substrat de monocristal de carbure de silicium (SiC) en retirant la membrane d'oxydation qui enveloppe la surface du substrat de monocristal de carbure de silicium (SiC) formée par oxydation naturelle, puis, en chauffant dans un milieu oxygéné ledit substrat de monocristal de SiC dont la surface de silicium est exposée, on forme une couche de dioxyde de silicium (SiO2) à la surface du substrat de monocristal de carbure de silicium (SiC). En chauffant encore sous vide ledit substrat de monocristal de carbure de silicium (SiC) à la surface duquel s'est formée la couche de dioxyde de silicium (SiO2), on forme le matériau composite de graphène sur carbure de silicium (graphène/SiC) par stratification du graphène en une couche, deux couches ou plus, au dessus du substrat de monocristal de carbure de silicium (SiC).
(JA) 原子レベルにおいて平坦な大面積グラフェンが、ＳｉＣ単結晶基板上に積層形成されてなるグラフェン／ＳｉＣ複合材料を有利に製造することが出来る製造方法を提供すること。 自然酸化によって形成された、ＳｉＣ単結晶基板の表面を覆う酸化皮膜を除去することにより、該ＳｉＣ単結晶基板のＳｉ面を露出させ、次いで、Ｓｉ面が露出した前記ＳｉＣ単結晶基板を酸素雰囲気下において加熱することにより、かかるＳｉＣ単結晶基板の表面にＳｉＯ2 層を形成せしめ、更に、ＳｉＯ2 層が形成された前記ＳｉＣ単結晶基板を、真空下、加熱することにより、ＳｉＣ単結晶基板上に一層又は二層以上のグラフェンが積層形成されてなるグラフェン／ＳｉＣ複合材料を製造した。