Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2010023934 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MATÉRIAU COMPOSITE DE GRAPHÈNE SUR CARBURE DE SILICIUM (GRAPHÈNE/SIC) ET MATÉRIAU COMPOSITE GRAPHÈNE SUR CARBURE DE SILICIUM(GRAPHÈNE/SIC) OBTENU PAR LEDIT PROCÉDÉ.

Numéro de publication WO/2010/023934
Date de publication 04.03.2010
N° de la demande internationale PCT/JP2009/004200
Date du dépôt international 28.08.2009
CIB
C01B 31/04 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
31Carbone; Ses composés
02Préparation du carbone; Purification
04Graphite
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
C01B 2204/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
2204Structure or properties of graphene
04Specific amount of layers or specific thickness
C01B 32/188
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
32Carbon; Compounds thereof
15Nano-sized carbon materials
182Graphene
184Preparation
188by epitaxial growth
C30B 29/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
C30B 29/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
Déposants
  • 国立大学法人名古屋大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 楠美智子 KUSUNOKI, Michiko [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 乗松航 NORIMATSU, Wataru [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 楠美智子 KUSUNOKI, Michiko
  • 乗松航 NORIMATSU, Wataru
Mandataires
  • 中島三千雄 NAKASHIMA, Michio
Données relatives à la priorité
2008-22017928.08.2008JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PRODUCING GRAPHENE/SIC COMPOSITE MATERIAL AND GRAPHENE/SIC COMPOSITE MATERIAL OBTAINED BY SAME
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MATÉRIAU COMPOSITE DE GRAPHÈNE SUR CARBURE DE SILICIUM (GRAPHÈNE/SIC) ET MATÉRIAU COMPOSITE GRAPHÈNE SUR CARBURE DE SILICIUM(GRAPHÈNE/SIC) OBTENU PAR LEDIT PROCÉDÉ.
(JA) グラフェン/SiC複合材料の製造方法及びそれにより得られるグラフェン/SiC複合材料
Abrégé
(EN)
A method which can advantageously produce a graphene/SiC composite material wherein a large-area graphene which is flat on the atomic level is formed as a layer on an SiC single crystal substrate. The graphene/SiC composite material is produced as follows: an oxide coating film which is formed by natural oxidation and covers the surface of the SiC single crystal substrate is removed, thereby exposing the Si surface of the SiC single crystal substrate; then the SiC single crystal substrate, which has an exposed Si surface, is heated in an oxygen atmosphere, thereby forming an SiO2 layer on the surface of the SiC single crystal substrate; and then the SiC single crystal substrate provided with the SiO2 layer is heated in a vacuum, thereby forming one or more layers of graphene on the SiC single crystal substrate.
(FR)
L'invention propose un procédé de fabrication qui permet de fabriquer de façon rentable un matériau composite de graphène sur carbure de silicium (graphène/SiC) : à l'échelle atomique, un graphène en un plan et de grande surface est formée par stratification sur un substrat de monocristal de carbure de silicium (SiC). On expose la surface du silicium dudit substrat de monocristal de carbure de silicium (SiC) en retirant la membrane d'oxydation qui enveloppe la surface du substrat de monocristal de carbure de silicium (SiC) formée par oxydation naturelle, puis, en chauffant dans un milieu oxygéné ledit substrat de monocristal de SiC dont la surface de silicium est exposée, on forme une couche de dioxyde de silicium (SiO2) à la surface du substrat de monocristal de carbure de silicium (SiC). En chauffant encore sous vide ledit substrat de monocristal de carbure de silicium (SiC) à la surface duquel s'est formée la couche de dioxyde de silicium (SiO2), on forme le matériau composite de graphène sur carbure de silicium (graphène/SiC) par stratification du graphène en une couche, deux couches ou plus, au dessus du substrat de monocristal de carbure de silicium (SiC).
(JA)
 原子レベルにおいて平坦な大面積グラフェンが、SiC単結晶基板上に積層形成されてなるグラフェン/SiC複合材料を有利に製造することが出来る製造方法を提供すること。  自然酸化によって形成された、SiC単結晶基板の表面を覆う酸化皮膜を除去することにより、該SiC単結晶基板のSi面を露出させ、次いで、Si面が露出した前記SiC単結晶基板を酸素雰囲気下において加熱することにより、かかるSiC単結晶基板の表面にSiO2 層を形成せしめ、更に、SiO2 層が形成された前記SiC単結晶基板を、真空下、加熱することにより、SiC単結晶基板上に一層又は二層以上のグラフェンが積層形成されてなるグラフェン/SiC複合材料を製造した。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international