WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010022064) NANOSTRUCTURES DE NITRURE DU GROUPE III SANS DÉFAUT ET DISPOSITIFS UTILISANT DES TECHNIQUES DE CROISSANCE PULSÉE ET NON PULSÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/022064    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/054181
Date de publication : 25.02.2010 Date de dépôt international : 18.08.2009
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : NANOCRYSTAL CORPORATION [US/US]; 3032 Cascades Trail SE Rio Rancho, NM 87124 (US) (Tous Sauf US).
VARANGIS, Petros, M. [GR/US]; (US) (US Seulement).
ZHANG, Lei [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : VARANGIS, Petros, M.; (US).
ZHANG, Lei; (US)
Mandataire : FARN, Michael, W.; Fenwick & West LLP Silicon Valley Center 801 California Street Mountain View, CA 94041 (US)
Données relatives à la priorité :
61/090,865 21.08.2008 US
Titre (EN) DEFECT-FREE GROUP III - NITRIDE NANOSTRUCTURES AND DEVICES USING PULSED AND NON-PULSED GROWTH TECHNIQUES
(FR) NANOSTRUCTURES DE NITRURE DU GROUPE III SANS DÉFAUT ET DISPOSITIFS UTILISANT DES TECHNIQUES DE CROISSANCE PULSÉE ET NON PULSÉE
Abrégé : front page image
(EN)Exemplary embodiments provide semiconductor devices including high-quality (i e, defect free) Group III - Nitride nanostructures and uniform Group III - Nitride nanostructure arrays as well as their scalable processes for manufacturing, where the position, orientation, cross-sectional features, length and the crystallinity of each nanostructure can be precisely controlled A pulsed growth mode can be used to fabricate the disclosed Group III - Nitride nanostructures and/or nanostructure arrays providing a uniform length of about 0.01 - 20 micrometers (11 m) with constant cross-sectional features including an exemplary diameter of about 10 nanometers (nm) - 500 micrometers (11 m) Furthermore, core-shell nanostructure/MQW active structures can be formed by a core-shell growth on the non-polar sidewalls of each nanostructure and can be configured in nanoscale photoelectronic devices such as nanostructure LEDs and/or nanostructure lasers to provide tremendously-high efficiencies
(FR)L'invention concerne, selon des modes de réalisation donnés en exemple, des dispositifs semi-conducteurs qui comprennent des nanostructures de nitrure du groupe III de qualité élevée (c'est-à-dire sans défaut) et des réseaux de nanostructures de nitrure de groupe III uniformes ainsi que leurs processus de fabrication pouvant être mis à l'échelle, la position, l'orientation, les caractéristiques en section transversale, la longueur et la cristallinité de chaque nanostructure pouvant être commandée de manière précise. Un mode de croissance pulsée peut être utilisé pour fabriquer les nanostructures de nitrure du groupe III décrites et/ou des réseaux de nanostructures fournissant une longueur uniforme d'environ 0,01 à 20 microns (11 µm) ayant des caractéristiques de section transversale constantes comprenant un diamètre donné en exemple d'environ 10 nanomètres (nm) à 500 micromètres (11 µm). De plus, une nanostructure du type noyau-gaine/des structures actives MQW peuvent être formées par une croissance de noyau-gaine sur les parois latérales non polaires de chaque nanostructure et peuvent être configurées dans des dispositifs photoélectroniques à l'échelle du nanomètre tels que des diodes électroluminescentes (DEL) à nanostructure et/ou des lasers à nanostructure pour fournir des rendements extrêmement élevés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)