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1. (WO2010017162) PASSAGE À TRAVERS DU SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/017162    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/052643
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 04.08.2009
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
ANDRY, Paul, Stephen [CA/US]; (US) (US Seulement).
SPROGIS, Edmund, Juris [US/US]; (US) (US Seulement).
TSANG, Cornelia, K. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ANDRY, Paul, Stephen; (US).
SPROGIS, Edmund, Juris; (US).
TSANG, Cornelia, K.; (US)
Mandataire : HARDING, Riyon, W.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/188,228 08.08.2008 US
Titre (EN) THROUGH SILICON VIA AND METHOD OF FABRICATING SAME
(FR) PASSAGE À TRAVERS DU SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Abrégé : front page image
(EN)A through silicon via structure and a method of fabricating the through silicon via. The method includes: (a) forming a trench (140) in a silicon substrate (100), the trench (140) open to a top surface (105) of the substrate (100); (b) forming a silicon dioxide layer (145) on sidewalls of the trench (140), the silicon dioxide layer not filling the trench (140); (c) filling remaining space in the trench with polysilicon (160); after (c), (d) fabricating at least a portion of a CMOS device (200) in the substrate (100); (e) removing the polysilicon (160) from the trench (140), the dielectric layer (145) remaining on the sidewalls of the trench; (f) re-filling the trench (140) with an electrically conductive core (255); and after (f), (g) forming one or more wiring layers (260) over the top surface (105) of the substrate (100), a wire (260) of a wiring level (255) of the one or more wiring levels closet to the substrate (100) contacting a top surface of the conductive core (255).
(FR)L'invention concerne une structure de passage à travers du silicium et un procédé de fabrication du passage à travers le silicium. Le procédé comprend : (a) la formation d'une tranchée (140) dans un substrat de silicium (100), la tranchée (140) étant ouverte jusqu'à une surface supérieure (105) du substrat (100) ; (b) la formation d'une couche de dioxyde de silicium (145) sur les parois latérales de la tranchée (140), la couche de dioxyde de silicium ne remplissant pas la tranchée (140) ; (c) le remplissage de l'espace restant dans la tranchée avec du polysilicium (160) ; après (c), (d) la fabrication d'au moins une partie d'un dispositif de semi-conducteur à oxyde métallique (CMOS) (200) dans le substrat (100) ; (e) l'enlèvement du polysilicium (160) de la tranchée (140), la couche diélectrique (145) restant sur les parois latérales de la tranchée ; (f) le remplissage à nouveau de la tranchée (140) avec un noyau électriquement conducteur (250) ; et après (f), (g) la formation d'une ou plusieurs couches de câblage (260) sur la surface supérieure (105) du substrat (100), un câble (260) d'un niveau de câblage (255) des un ou plusieurs niveaux de câblage le plus proche du substrat (100) étant en contact avec une surface supérieure du noyau conducteur (255).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)