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N° de publication :    WO/2010/016510    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/063845
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 05.08.2009
H01L 21/304 (2006.01), B24B 37/04 (2012.01)
Déposants : SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP) (Tous Sauf US).
NAKAYAMA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIOTA, Takaaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KABASAWA, Tomoyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAKAYAMA, Takashi; (JP).
SHIOTA, Takaaki; (JP).
KABASAWA, Tomoyuki; (JP)
Mandataire : SHOBAYASHI, Masayuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-203561 06.08.2008 JP
(JA) 半導体ウェーハの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor wafer manufacturing method capable of more suppressing the production of particles caused by a contact mark which is formed in a semiconductor wafer by the contact with the support boat or the like of a heat treatment apparatus.  The semiconductor wafer manufacturing method is characterized by comprising: a chamfering step (S8) of forming a chamfered face at the peripheral edge of the semiconductor wafer; a heat treatment step (S12) of subjecting the semiconductor wafer having passed through the chamfering step (S8), to a heat treatment in an atmosphere of 900 ºC or higher; and a boundary polishing step (S14) of polishing the region which is in the principal face of the semiconductor wafer having passed through the heat treatment step (S12) and is in the vicinity of the boundary between the principal face and the peripheral edge, together with the boundary.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une tranche de semi-conducteur capable de supprimer davantage la production de particules due à une marque de contact qui est formée dans une tranche de semi-conducteur par le contact avec la nacelle de support ou analogue d'un appareil de traitement thermique. Le procédé de fabrication de tranche de semi-conducteur est caractérisé par le fait qu'il comprend : une étape de chanfreinage (S8) consistant à former une face chanfreinée au niveau du bord périphérique de la tranche de semi-conducteur ; une étape de traitement thermique (S12) consistant à soumettre la tranche de semi-conducteur, étant passée par l'étape de chanfreinage (S8), à un traitement thermique dans une atmosphère de 900°C ou plus ; et une étape de polissage de frontière (S14) consistant à polir la région qui est dans la face principale de la tranche de semi-conducteur étant passée par l'étape de traitement thermique (S12) et est au voisinage de la frontière entre la face principale et le bord périphérique, conjointement avec la frontière.
(JA) 熱処理装置の支持ボート等との接触により半導体ウェーハに生じる接触痕に起因するパーティクルの発生を一層抑制することができる半導体ウェーハの製造方法を提供すること。  本発明の半導体ウェーハの製造方法は、半導体ウェーハの周縁部に面取り面を形成する面取り工程S8と、面取り工程S8を経た前記半導体ウェーハに対して900℃以上の雰囲気で熱処理を施す熱処理工程S12と、熱処理工程S12を経た前記半導体ウェーハの主面における該主面と前記周縁部との境界部の近傍の領域を、該境界部を含んで研磨する境界部研磨工程S14と、を備えることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)