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1. (WO2010016191) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/016191    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/003353
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 16.07.2009
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
SATO, Yoshihiro; (US Seulement).
KAJIYA, Atsuhiro; (US Seulement)
Inventeurs : SATO, Yoshihiro; .
KAJIYA, Atsuhiro;
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-200880 04.08.2008 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device comprising a first MIS transistor formed on a first active region of a semiconductor substrate and a second MIS transistor formed on a second active region.  The first MIS transistor comprises a first gate insulating film (13a) formed on the first active region (12a), and a first gate electrode (24A) containing a first metal film (14a) formed on the first gate insulating film (13a) and a first silicon film (17a) formed on the first metal film (14a).  The second MIS transistor comprises a second gate insulating film (13b) formed on the second active region (12b), and a second gate electrode (24B) containing a first metal film (14b) formed on the second gate insulating film (13b), a second metal film (15b) formed on the first metal film (14b) and a second silicon film (17b) formed on the second metal film (15b).
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs qui comprend un premier transistor MIS formé sur une première région active d'un substrat semi-conducteur et un second transistor MIS formé sur une seconde région active. Le premier transistor MIS comprend un premier film isolant de grille (13a) formé sur la première région active (12a), et une première électrode de grille (24A) contenant un premier film métallique (14a) formé sur le premier film isolant de grille (13a) et un premier film de silicium (17a) formé sur le premier film métallique (14a). Le second transistor MIS comprend un second film isolant de grille (13b) formé sur la seconde région active (12b), et une seconde électrode de grille (24B) contenant un premier film métallique (14b) formé sur le second film isolant de grille (13b), un second film métallique (15b) formé sur le premier film métallique (14b) et un second film de silicium (17b) formé sur le second film métallique (15b).
(JA) 半導体装置は、半導体基板における第1の活性領域上に形成された第1のMISトランジスタと第2の活性領域上に形成された第2のMISトランジスタとを備えている。第1のMISトランジスタは、第1の活性領域12a上に形成された第1のゲート絶縁膜13aと、第1のゲート絶縁膜13a上に形成された第1の金属膜14a、及び、第1の金属膜14a上に形成された第1のシリコン膜17aを含む第1のゲート電極24Aとを備えている。第2のMISトランジスタは、第2の活性領域12b上に形成された第2のゲート絶縁膜13bと、第2のゲート絶縁膜13b上に形成された第1の金属膜14b、第1の金属膜14b上に形成された第2の金属膜15b、及び、第2の金属膜15bの上に形成された第2のシリコン膜17bを含む第2のゲート電極24Bとを備えている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)