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1. (WO2010014610) DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES À TUNNEL PHOTONIQUE ET PROCÉDÉS CORRESPONDANTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/014610    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/051962
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 28.07.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.06.2010    
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : ILLUMITEX, INC. [US/US]; 5307 Industrial Oaks Blvd. Suite 100 Austin, TX 78735 (US) (Tous Sauf US).
DUONG, Dung, T. [US/US]; (US) (US Seulement).
FLYNN, William, Gregory [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DUONG, Dung, T.; (US).
FLYNN, William, Gregory; (US)
Mandataire : ADAIR, John, L.; Sprinkle IP Law Group 1301 W. 25th Street Suite 408 Austin, TX 78705 (US)
Données relatives à la priorité :
61/085,717 01.08.2008 US
Titre (EN) PHOTON TUNNELING LIGHT EMITTING DIODES AND METHODS
(FR) DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES À TUNNEL PHOTONIQUE ET PROCÉDÉS CORRESPONDANTS
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments described herein include LEDs that promote photon tunneling. One embodiment of an LED device can have a quantum well layer adapted to generate light having a wavelength, a p-doped alloy layer on a first side of the quantum well layer and an n-doped alloy layer on the other side of the quantum well layer. The device can also include an electrode electrically connected to the p-doped alloy layer and an electrode electrically connected to the n-doped alloy layer. According to one embodiment the thickness of the n-doped alloy layer is less than the wavelength of light generated by the quantum well layer to allow light generated by the quantum well layer to tunnel to the medium (e.g., air). In another embodiment, the entire layer structure can have a thickness that is less than the wavelength.
(FR)Les modes de réalisation de la présente invention portent sur des diodes électroluminescentes favorisant les tunnels photoniques. Dans un mode de réalisation, un dispositif à diode électroluminescente peut comporter une couche à puits quantique conçue pour produire une lumière caractérisée par une longueur d'ondes, une couche d'alliage dopé P sur une première face de la couche à puits quantique, et une couche d'alliage dopé N sur l'autre face de la couche à puits quantique. Le dispositif comporte également une électrode électriquement connectée à la couche d'alliage dopé P et une électrode électriquement connectée à la couche d'alliage dopé N. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la couche d'alliage dopé N est inférieure à la longueur d'ondes de la lumière produite par la couche à puits quantique, de façon à permettre à la lumière produite par la couche à puits quantique de former un tunnel aboutissant dans le milieu (par exemple, l'air). Dans un autre mode de réalisation, la totalité de la structure de couche peut présenter une épaisseur inférieure à la longueur d'ondes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)