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1. (WO2010010940) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN CAPTEUR D’IMAGE INFRAROUGE ET CAPTEUR D’IMAGE INFRAROUGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/010940    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/063241
Date de publication : 28.01.2010 Date de dépôt international : 24.07.2009
CIB :
G01J 1/02 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H01L 35/32 (2006.01), H01L 35/34 (2006.01)
Déposants : PANASONIC ELECTRIC WORKS CO., LTD. [JP/JP]; 1048, Oaza-Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718686 (JP) (Tous Sauf US).
USHIYAMA, Naoki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TSUJI, Koji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : USHIYAMA, Naoki; (JP).
TSUJI, Koji; (JP)
Mandataire : NISHIKAWA, Yoshikiyo; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-192751 25.07.2008 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING INFRARED IMAGE SENSOR AND INFRARED IMAGE SENSOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN CAPTEUR D’IMAGE INFRAROUGE ET CAPTEUR D’IMAGE INFRAROUGE
(JA) 赤外線イメージセンサの製造方法および赤外線イメージセンサ
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing an infrared image sensor, wherein firstly a silicon oxide film (31) having a compression stress is formed on a first region (A1), which is provided in one surface of a silicon substrate (1) for formation of an infrared sensing element (3), and a silicon nitride film (32) having a compression stress is formed on the silicon oxide film (31), thereby forming a heat insulating layer (33); then a well region (41) is formed on a second region (A2), which is provided in the one surface of the silicon substrate (1) for formation of a MOS transistor (4); then a gate insulating film (45) of the MOS transistor (4) is formed by thermally oxidizing the one surface of the silicon substrate (1); then a temperature sensing element (36) is formed on the heat insulating layer (33); then a drain region (43) and a source region (44) of the MOS transistor (4) are formed within the well region (41); and finally a cavity (11) for heat insulation is formed in the silicon substrate (1) at a position corresponding to the infrared sensing element (3).
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d’un capteur d’image infrarouge. Tout d’abord, un film d’oxyde de silicium (31) présentant une certaine contrainte de compression est formé sur une première région (A1) qui est formée dans une surface d’un substrat de silicium (1) pour la formation de l’élément de détection infrarouge (3), et un film de nitrure de silicium (32) présentant une certaine contrainte de compression est formé sur le film d’oxyde de silicium (31), formant de ce fait une couche d’isolation thermique (33) ; ensuite, une région de puits (41) est formée sur une seconde région (A2) qui est formée dans la surface du substrat de silicium (1) pour la formation d’un transistor MOS (4) ; ensuite, un film d’isolation de grille (45) du transistor MOS (4) est formé par oxydation thermique de la surface du substrat en silicium (1) ; ensuite, un élément de détection de température (36) est formé sur la couche d’isolation thermique (33) ; ensuite, une région de drain (43) et une région de source (44) du transistor MOS (4) sont formées dans la région de puits (41) ; et enfin, une cavité (11) pour l’isolation thermique est formée dans le substrat de silicium (1) en une position correspondant à l’élément de détection infrarouge (3).
(JA) 赤外線イメージセンサの製造方法では、最初に、赤外線検出素子3を形成するためにシリコン基板1の一表面側に設けられた第1領域A1に圧縮応力を有するシリコン酸化膜31を形成するとともに引張応力を有するシリコン窒化膜32をシリコン酸化膜31上に形成することで熱絶縁層33を形成する。次に、MOSトランジスタ4を形成するためにシリコン基板1の一表面側に設けられた第2領域A2にウェル領域41を形成する。次に、シリコン基板1の一表面側を熱酸化してMOSトランジスタ4のゲート絶縁膜45を形成する。次に、温度検知素子36を熱絶縁層33上に形成する。次に、MOSトランジスタ4のドレイン領域43およびソース領域44をウェル領域41内に形成する。最後に、シリコン基板1において赤外線検出素子3に対応する部位に熱絶縁用の空洞11を形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)