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1. (WO2010009295) CONFECTION DE CELLULES SOLAIRES HYBRIDES À HÉTÉROJONCTION À L’AIDE D’UN MASQUE EN COUCHE MÉTALLIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/009295    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/050808
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 16.07.2009
CIB :
H01L 31/042 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
WEIDMAN, Timothy, W. [US/US]; (US) (US Seulement).
MISHRA, Rohit [NP/US]; (US) (US Seulement).
STEWART, Michael, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
CHA, Yonghwa, Chris [US/US]; (US) (US Seulement).
WIJEKOON, Kapila, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
FANG, Hongbin [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WEIDMAN, Timothy, W.; (US).
MISHRA, Rohit; (US).
STEWART, Michael, P.; (US).
CHA, Yonghwa, Chris; (US).
WIJEKOON, Kapila, P.; (US).
FANG, Hongbin; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; (US)
Données relatives à la priorité :
61/081,362 16.07.2008 US
61/121,537 10.12.2008 US
Titre (EN) HYBRID HETEROJUNCTION SOLAR CELL FABRICATION USING A METAL LAYER MASK
(FR) CONFECTION DE CELLULES SOLAIRES HYBRIDES À HÉTÉROJONCTION À L’AIDE D’UN MASQUE EN COUCHE MÉTALLIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the invention contemplate the formation of a high efficiency solar cell using a novel processing sequence to form a solar cell device. In one embodiment, the methods include the use of various etching and patterning processes that are used to define active regions of the device and regions where the device and/or contact structure is to be located on a surface of a solar cell substrate. The method generally includes the steps of forming one or more layers on a backside of a solar cell substrate to prevent attack of the backside surface of the substrate, and provide a stable supporting surface, when the front side regions of a solar cell are formed. In one embodiment, the one or more layers are a metalized backside contact structure that is formed on the backside of the solar cell substrate. In another embodiment, the one or more layers are a chemical resistant dielectric layer that is formed over the backside of the solar cell substrate.
(FR)L'invention concerne, dans certains de ses modes de réalisation, la formation d’une cellule solaire à haut rendement par une séquence inédite de traitement pour former un dispositif de cellule solaire. Dans un mode de réalisation, les procédés font appel à divers processus de gravure et de texturation utilisés pour définir des régions actives du dispositif et des régions où le dispositif et / ou la structure de contact sont à positionner sur une surface d’un substrat de cellule solaire. Le procédé comporte généralement l’étape consistant à former une ou plusieurs couches sur une face arrière d’un substrat de cellule solaire afin d’empêcher l’attaque de la surface arrière du substrat, et d’assurer une surface d’appui stable lorsque les régions de la face avant d’une cellule solaire sont formées. Dans un mode de réalisation, la ou les couches en question constituent une structure de contact métallisée en face arrière, formée sur la face arrière du substrat de cellule solaire. Dans un autre mode de réalisation, la ou les couches en question constituent une couche diélectrique résistant aux produits chimiques, formée par-dessus la face arrière du substrat de cellule solaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)