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1. (WO2010007893) MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE ET SON PROCÉDÉ D'INITIALISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/007893    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/062083
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 02.07.2009
CIB :
H01L 21/8246 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku Tokyo 1088001 (JP) (Tous Sauf US).
SUZUKI Tetsuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKAMI Shunsuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAGAHARA Kiyokazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHSHIMA Norikazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIWATA Nobuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUZUKI Tetsuhiro; (JP).
FUKAMI Shunsuke; (JP).
NAGAHARA Kiyokazu; (JP).
OHSHIMA Norikazu; (JP).
ISHIWATA Nobuyuki; (JP)
Mandataire : KUDOH Minoru; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-183703 15.07.2008 JP
Titre (EN) MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD FOR INITIALIZING THEREOF
(FR) MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE ET SON PROCÉDÉ D'INITIALISATION
(JA) 磁気ランダムアクセスメモリ及びその初期化方法
Abrégé : front page image
(EN)A domain wall motion MRAM is provided with a magnetization recording layer (10) being a ferromagnetic layer having a perpendicular magnetic anisotropy, a pair of current supply terminals (14a, 14b) connected to the magnetization recording layer (10) in order to supply a current to the magnetization recording layer (10), and an antiferromagnetic layer (45) which contacts with a first area (R1) of the magnetization recording layer (10).  The first area (R1) includes a part of a current supply area (RA) between the current supply terminals (14a, 14b), out of the magnetization recording layer (10).
(FR)L'invention porte sur une mémoire vive magnétique (MRAM), à mouvement de paroi de domaine, qui est pourvu d’une couche d'enregistrement magnétique (10) qui est une couche ferromagnétique ayant une anisotropie magnétique perpendiculaire, une paire de bornes d'alimentation en courant (14a, 14b) connectées à la couche d'enregistrement magnétique (10) afin de fournir un courant à la couche d'enregistrement magnétique (10), et une couche antiferromagnétique (45) qui est en contact avec une première région (R1) de la couche d'enregistrement magnétique (10). La première région (R1) comprend une partie d'une région d'alimentation en courant (RA) entre les bornes d'alimentation en courant (14a, 14b) de la couche d'enregistrement magnétique (10).
(JA) 磁壁移動型のMRAMは、垂直磁気異方性を有する強磁性層である磁化記録層10と、磁化記録層10に電流を供給するために磁化記録層10に接続された一組の電流供給端子14a、14bと、磁化記録層10のうち第1領域R1に接触する反強磁性層45と、を備える。第1領域R1は、磁化記録層10のうち一組の電流供給端子14a、14bの間の電流供給領域RAの一部を含んでいる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)