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1. (WO2010007714) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/007714    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/001730
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 15.04.2009
CIB :
H01L 27/14 (2006.01), H01L 23/34 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 27/148 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
OKUTANI, Tomoo; (US Seulement).
FUJIWARA, Kazuo; (US Seulement)
Inventeurs : OKUTANI, Tomoo; .
FUJIWARA, Kazuo;
Mandataire : HARADA, Yohei; OX Nishihonmachi Bldg. 4th Floor, 10-10, Nishi-Hommachi 1-chome, Nishi-ku, Osaka-shi, Osaka, 5500005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-182127 14.07.2008 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 固体撮像装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a solid-state imaging device having a large heat dissipation effect. To achieve this objective, the solid-state imaging device is provided with non-conducting heat dissipation members (7) in a semiconductor substrate (2). The non-conducting heat dissipation member (7) is comprised of a non-through hole which has an opening in one end on one surface of the semiconductor substrate (2) and extends in the direction from that surface toward the other surface of the semiconductor substrate (2) and the other end is positioned at a position which does not reach the other surface, and a metal which fills the interiors of the non-through holes. The non-conducting heat dissipation members (7) become the dissipation paths.
(FR)L'invention porte sur un dispositif d'imagerie à semi-conducteur dont l’effet de dissipation de chaleur est important. Pour parvenir à cet objectif, le dispositif d'imagerie à semi-conducteur comporte des éléments de dissipation de chaleur non conducteurs (7) dans un substrat semi-conducteur (2). L'élément de dissipation de chaleur non conducteur (7) est pourvu de trous non traversants qui comportent une ouverture à une extrémité sur une surface du substrat semi-conducteur (2) et s'étendent, à partir de cette surface, dans la direction de l'autre surface du substrat semi-conducteur (2), l'autre extrémité étant positionnée à un endroit qui n'atteint pas l'autre surface, et d’un métal qui remplit les intérieurs des trous non traversants. Les éléments de dissipation de chaleur non conducteurs (7) deviennent les trajets de dissipation.
(JA) 放熱効果の高い固体撮像装置を提供する。この目的を達成するために、本発明の固体撮像装置は、半導体基板(2)に設けられた非貫通放熱部(7)を備える。非貫通放熱部(7)は、半導体基板(2)の一方の面に一端が開口し、その一方の面から半導体基板(2)の他方の面へ向かう方向へ延在し、その他方の面に到達しない位置に他端が位置する非貫通孔と、その非貫通孔の内部に充填された金属とからなる。この非貫通放熱部(7)が放熱経路となる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)