WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010007560) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/007560    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/052982
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 09.07.2009
CIB :
H01L 23/29 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
KLOOTWIJK, Johan, H. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
TIMMERING, Eugene [NL/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : KLOOTWIJK, Johan, H.; (NL).
TIMMERING, Eugene; (NL)
Mandataire : BEKKERS, Joost, J., J.; High Tech Campus 44 NL-5600 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
08160537.0 16.07.2008 EP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a device (10) comprising a substrate (12) having a front surface (14) and a back surface (24); a semiconductor element (16) provided on the front surface of the substrate; a first passivation layer (18); and a second passivation layer (22) provided on the back surface of the substrate. The present invention also relates to a method of manufacturing such a device.
(FR)La présente invention concerne un dispositif (10) comprenant un substrat (12) présentant une surface avant (14) et une surface arrière (24); un élément semi-conducteur (16) disposé sur la surface avant du substrat; une première couche de passivation (18) et une seconde couche de passivation (22) disposée sur la surface arrière du substrat. La présente invention concerne aussi un procédé de fabrication d’un tel dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)