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1. (WO2010007145) POINT D'APPUI DE BRASAGE POUR MODULES SOLAIRES ET ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/007145    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/059192
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 16.07.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.08.2010    
CIB :
H01L 31/02 (2006.01), H01L 31/05 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0392 (2006.01), H01L 31/075 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : SCHOTT SOLAR AG [DE/DE]; Hattenbergstr. 10 55122 Mainz (DE) (Tous Sauf US).
VON CAMPE, Hilmar [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MEIDEL, Bernd [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
GRIES, Georg [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WILL, Christoph [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ROSSA, Jürgen [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : VON CAMPE, Hilmar; (DE).
MEIDEL, Bernd; (DE).
GRIES, Georg; (DE).
WILL, Christoph; (DE).
ROSSA, Jürgen; (DE)
Mandataire : STOFFREGEN, Hans-Herbert; Friedrich-Ebert-Anlage 11b 63450 Hanau (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2008 002 954.8 18.07.2008 DE
Titre (DE) LÖT-STÜTZSTELLE FÜR SOLARMODULE UND HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) SOLDER SUPPORTING LOCATION FOR SOLAR MODULES AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) POINT D'APPUI DE BRASAGE POUR MODULES SOLAIRES ET ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung bezieht sich auf eine Lötverbindung zwischen einer Außenfläche (23) eines über eine Haftschicht (14) mit einer Unterlage (12) verbundenen Halbleiterbauelementes (10) und einem streifenförmigen Verbinder (24). Damit auf den Verbinder einwirkende Zugkräfte nicht dazu führen, dass das Halbleiterbauelement von der Unterlage bzw. der Haftschicht abgelöst wird, wird vorgeschlagen, dass von der Außenfläche (23) des Halbleiterbauelementes (10) eine aus lötbarem Material bestehende und über eine Kontaktfläche A mit der Außenfläche (23) kontaktierte Stützstelle (26, 28) ausgeht, in oder auf der der Verbinder (24) unter Einhaltung eines Abstandes a mit a ≥ 10 µm zur Außenfläche (23) ein- oder aufgelötet ist und/oder dass der Abstand b zwischen Rand der Kontaktfläche zwischen der Stützfläche und der Außenfläche und Eintritt des Verbinders in die Stützstelle oder dem Kontaktbeginn zwischen diesen beträgt b ≥ 50 µm.
(EN)The invention relates to a soldered connection between an outer surface (23) of a semiconductor device (10), connected to a substrate (12) by means of an adhesive layer (14), and a connector (24) in the form of a strip. In order that tensile forces acting on the connector do not cause the semiconductor device to be detached from the substrate or the adhesive layer, it is proposed that from the outer surface (23) of the semiconductor device (10) there extends a supporting location (26, 28), which consists of solderable material and makes contact with the outer surface (23) by way of a contact surface A, in or on which the connector (24) is soldered while maintaining a distance a from the outer surface (33) where a ≥ 10 µm, and/or that the distance b between the edge of the contact surface between the supporting surface and the outer surface and the entry of the connector into the supporting location or the beginning of contact between them is b ≥ 50 µm.
(FR)L'invention concerne un liaison par brasage entre une surface externe (23) d'un élément semiconducteur (10) relié à un support (12) par une couche adhésive (14) et un connecteur (24) en forme de bande. L'invention vise à ce que les forces de traction s'exerçant sur le connecteur ne provoquent pas le détachement de l'élément semiconducteur du support ou de la couche adhésive. A cet effet, à partir de la surface externe (23) de l'élément semiconducteur (10) est formé un point d'appui (26,28) qui est en matière de brasage et en contact avec la surface externe (23) par une surface de contact A et dans lequel ou sur lequel le connecteur (24) est soudé en respectant une distance a ≥ 10 µm par rapport à la surface externe (23) et/ou la distance b entre le bord de la surface de contact reliant le point d'appui et la surface externe et l'entrée du connecteur dans le point d'appui ou le début du contact entre ces éléments est b≥50 µm.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)