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1. (WO2010005892) COMPOSITION DE RÉSERVE ET PROCÉDÉ LITHOGRAPHIQUE UTILISANT LADITE COMPOSITION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/005892    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/049682
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 06.07.2009
CIB :
G03F 7/075 (2006.01)
Déposants : MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue Cambridge, MA 02139 (US) (Tous Sauf US).
FEDYNYSHYN, Theodore, H. [US/US]; (US) (US Seulement).
GOODMAN, Russell, B. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FEDYNYSHYN, Theodore, H.; (US).
GOODMAN, Russell, B.; (US)
Mandataire : SHEN, Charlton; (US)
Données relatives à la priorité :
61/078,939 08.07.2008 US
61/091,028 22.08.2008 US
Titre (EN) RESIST COMPOSITION AND LITHOGRAPHIC PROCESS USING SAID COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE RÉSERVE ET PROCÉDÉ LITHOGRAPHIQUE UTILISANT LADITE COMPOSITION
Abrégé : front page image
(EN)Methods and compositions for enhancing the sensitivity of an inorganic resist composition are disclosed. In one aspect, compositions for use with a matrix material (e.g., a lithographically sensitive polymeric material such as a hydrogen-bearing siloxane material) can be formulated with a sensitizer, where the sensitizer can be present in a relatively small amount. The sensitizer can include a radical generator, and can act to enhance the efficiency of radical generation and/or resist crosslinking when the resist is impinged by a selected lithographic radiation. The methods of the present invention can be especially useful in performing short wavelength (e.g., less than 200 nm) lithography, or for processes such as e-beam lithography, which traditionally suffer from low throughput. Methods of utilizing one or more of these aspects are also disclosed.
(FR)La présente invention concerne des procédés et des compositions permettant d'améliorer la sensibilité d'une composition de réserve inorganique. Selon un premier aspect, des compositions destinées à un matériau de matrice (par exemple un polymère lithographique sensible tel qu'un siloxane hydrogéné) peuvent être formulées avec un sensibilisateur, ledit sensibilisateur pouvant être en quantité relativement faible. Ce sensibilisateur peut comprendre un générateur de radicaux, et peut servir à améliorer l'efficacité de la génération de radicaux et/ou de la réticulation de la réserve lorsque la réserve est frappée par un rayonnement lithographique particulier. Les procédés selon la présente invention peuvent notamment être utilisés pour la réalisation de lithographie à faible longueur d'onde (par exemple à moins de 200 nm), ou pour des procédés tels que la lithographie par faisceaux d'électrons, qui souffrent traditionnellement d'un manque de capacité. Des procédés d'utilisation d'un ou plusieurs de ces aspects sont également décrits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)