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1. WO2010005620 - ENCEINTES DE RÉACTION MODULAIRES ET FACILEMENT CONFIGURABLES ET MODULES FONCTIONNELS ASSOCIÉS

Numéro de publication WO/2010/005620
Date de publication 14.01.2010
N° de la demande internationale PCT/US2009/042281
Date du dépôt international 30.04.2009
CIB
H01L 21/205 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
CPC
C23C 16/44
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
C23C 16/481
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
48by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
481by radiant heating of the substrate
C30B 25/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
08Reaction chambers; Selection of materials therefor
H01L 21/67115
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67115mainly by radiation
H01L 21/67248
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
67248Temperature monitoring
Déposants
  • S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR]/[FR] (AllExceptUS)
  • BERTRAM, Ronald, Thomas, Jr. [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • BERTRAM, Ronald, Thomas, Jr.
Mandataires
  • FANUCCI, Allan, A.
Données relatives à la priorité
61/077,02830.06.2008US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MODULAR AND READILY CONFIGURABLE REACTOR ENCLOSURES AND ASSOCIATED FUNCTION MODULES
(FR) ENCEINTES DE RÉACTION MODULAIRES ET FACILEMENT CONFIGURABLES ET MODULES FONCTIONNELS ASSOCIÉS
Abrégé
(EN) The invention provides an improved CVD reactor sub-system including a modular reactor enclosure and function modules. The modular reactor enclosure can accommodate a commercially available cold-wall CVD reactor chamber, and the function modules can be arranged on the reactor enclosure to provide functions necessary to perform a CVD process with the reactor chamber. Preferred function modules include modules for providing heat to a CVD reactor chamber and modules for measuring conditions internal to a CVD reactor chamber. The invention also provides methods for configuring such a CVD reactor sub-system, in particular configuring the sub-system to best perform a particular CVD process, and kits for performing such configuring. Advantageously, the invention allows a single CVD reactor sub-system to be reconfigured and rearranged so that it can best perform a number of different CVD processes.
(FR) Cette invention concerne un sous-système de réaction amélioré pour dépôt chimique en phase vapeur (CVD), comprenant une enceinte de réaction modulaire et des modules fonctionnels. L’enceinte de réaction modulaire peut accueillir une chambre de réaction CVD à paroi froide disponible dans le commerce, et mes modules fonctionnels peuvent être disposés sur l’enceinte de réaction pour assurer les fonctions nécessaires à l’exécution d’un procédé de CVD dans la chambre de réaction. Des modules fonctionnels préférés comprennent des modules fournissant de la chaleur à une chambre de réaction CVD et des modules destinés à mesurer les conditions internes d’une chambre de réaction CVD. L’invention concerne aussi des méthodes de configuration d’un tel sous-système de réaction pour CVD, en particulier de configuration du sous-système en vue de l’exécution optimale d’un procédé de CVD particulier, ainsi que des ensembles d’outillage destinés à réaliser une telle configuration. Avantageusement, l’invention permet la reconfiguration et le réagencement d’un unique sous-système de réacteur CVD de manière à permettre l’exécution optimale d’un certain nombre de procédés différents de CVD.
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