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1. (WO2010005086) STRUCTURE DE LIAISON DE FIL DE LIAISON
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/005086    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/062635
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 10.07.2009
CIB :
H01L 21/60 (2006.01)
Déposants : NIPPON STEEL MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, chiyoda-ku, Tokyo 1010021 (JP) (Tous Sauf US).
NIPPON MICROMETAL CORPORATION [JP/JP]; 158-1 Oaza Sayamagahara, Iruma-shi, Saitama 3580032 (JP) (Tous Sauf US).
UNO, Tomohiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMADA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IKEDA, Atsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : UNO, Tomohiro; (JP).
YAMADA, Takashi; (JP).
IKEDA, Atsuo; (JP)
Mandataire : USHIKI, Mamoru; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-181813 11.07.2008 JP
Titre (EN) BONDING STRUCTURE OF BONDING WIRE
(FR) STRUCTURE DE LIAISON DE FIL DE LIAISON
(JA) ボンディングワイヤの接合構造
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a bonding structure of a copper-based bonding wire that can realize a low material cost and, in reverse bonding for wedge bonding on bumps, can realize high productivity of continuous bonding and high reliability, for example, in heating at an elevated temperature, a thermal cycle test, a reflow test, or an HAST test. The bonding structure comprises a bonding wire connected onto a ball bump formed on an electrode in a semiconductor element.  The bonding wire and the ball bump are composed mainly of copper.  An increased concentration layer (A) having a concentration of a metal (R), other than copper, that is not less than 10 times the average concentration of the metal (R) in the ball bump is provided at the interface of a bonding part.  An increased concentration layer (B) having a concentration of the metal (R) that is not less than 10 times the average concentration of the metal (R) in the ball bump is provided at the bonding interface of the ball bump and the electrode.
(FR)L’invention concerne une structure de liaison d'un fil de liaison à base de cuivre qui peut avoir un faible coût en matériau et, dans le cas d’une liaison inverse pour une liaison de type « liaison en coin » sur des bossages, permet d'obtenir une grande productivité de liaison continue et une grande fiabilité, par exemple, lors du chauffage à une température élevée, d'un test de cycle thermique, d'un test de refusion, ou d'un test HAST. La structure de liaison comprend un fil de liaison connecté sur un bossage de bille formé sur une électrode dans un élément semi-conducteur. Le fil de liaison et le bossage de bille sont composés principalement de cuivre. Une couche à plus grande concentration (A) ayant une concentration d’un métal (R), autre que le cuivre, qui est supérieure ou égale à 10 fois la concentration moyenne du métal (R) dans le bossage de bille est prévue au niveau de l'interface d'une partie de liaison. Une couche à plus grande concentration (B) ayant une concentration du métal (R) qui est supérieure ou égale à 10 fois la concentration moyenne du métal (R) dans le bossage de bille est réalisée au niveau de l'interface de liaison du bossage de bille et de l'électrode.
(JA)本発明は、材料費が安価で、バンプの上にウェッジ接合を行う逆ボンディングにおいて、連続ボンディングの生産性が高く、高温加熱、熱サイクル試験、リフロー試験又はHAST試験等の信頼性に優れる銅系ボンディングワイヤの接合構造を提供することを目的とする。 半導体素子の電極上に形成したボールバンプの上にボンディングワイヤを接続する接合構造であって、前記ボンディングワイヤ及び前記ボールバンプは銅を主成分とし、前記接合部の界面に銅以外の金属Rの濃度が前記ボールバンプにおける金属Rの平均濃度の10倍以上である濃化層Aを有し、且つ、ボールバンプと電極との接合界面に金属Rの濃度が、ボールバンプにおける金属Rの平均濃度の10倍以上である濃化層Bを有するボンディングワイヤの接合構造である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)