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1. (WO2010001519) APPAREIL DE FABRICATION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MONOCRISTAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/001519    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/002018
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 08.05.2009
CIB :
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/00 (2006.01)
Déposants : Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (Tous Sauf US).
SOETA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJII, Toshifumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SOETA, Satoshi; (JP).
FUJII, Toshifumi; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-172756 01.07.2008 JP
Titre (EN) SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD
(FR) APPAREIL DE FABRICATION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MONOCRISTAL
(JA) 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a single crystal manufacturing apparatus for manufacturing a single crystal according to the Czochralksi method, comprising at least: a main chamber housing a crucible for holding a raw material melt and a heater for heating the raw material melt; a pulling chamber provided continuously with the upper portion of the main chamber, in which a grown single crystal is pulled up and housed; a gas inlet provided in the pulling chamber; a graphite rectifier tube provided to extend downward from the ceiling portion of the main chamber; and an insulating ring provided to extend from the bottom end of the rectifier tube and to expand in diameter outwardly upward in such a way as to surround the rectifier tube, wherein at least one window is provided in a region 50 to 200 mm from the bottom end of the rectifier tube, and the open surface area of the window occupies 50% or more of the surface area of the region 50 to 200 mm from the bottom end of the rectifier tube. Accordingly, blockage of radiant heat from the single crystal can be inhibited, and the cooling effect on the single crystal can be improved.
(FR)L’invention concerne un appareil de fabrication de monocristal pour fabriquer un monocristal selon la méthode de Czochralksi, comprenant au moins : une chambre principale logeant un creuset pour contenir une matière première fondue et un chauffage pour chauffer la matière première fondue ; une chambre de traction pourvue en continu de la partie supérieure de la chambre principale, dans laquelle un monocristal qui s’est développé est tiré vers le haut et logé ; une admission de gaz disposée dans la chambre de traction ; un tube rectificateur en graphite prévu pour s'étendre vers le bas depuis la partie de plafond de la chambre principale ; et une bague isolante prévue pour s’étendre depuis l’extrémité inférieure du tube rectificateur et pour se dilater en diamètre vers l’extérieur et le haut de telle manière à entourer le tube rectificateur, au moins une fenêtre étant disposée dans une région à 50 à 200 mm de l’extrémité inférieure du tube rectificateur, et la superficie ouverte de la fenêtre occupe 50 % ou plus de la superficie de la région à 50 à 200 mm de l’extrémité inférieure du tube rectificateur. Par conséquent, on peut inhiber le blocage de la chaleur rayonnante depuis le monocristal, et l’effet de refroidissement du monocristal peut être amélioré.
(JA) 本発明は、少なくとも、原料融液を収容するルツボ及び前記原料融液を加熱するヒータを格納するメインチャンバと、該メインチャンバの上部に連設され、成長した単結晶が引き上げられて収容される引上げチャンバと、引上げチャンバに設けられたガス導入口と、メインチャンバの天井部から下方に延設される黒鉛製の整流筒と、整流筒の下端部から、整流筒を取り囲むように外上方に拡径して延出した断熱リングとを有したチョクラルスキー法による単結晶製造装置であって、整流筒の下端より50~200mmの領域に少なくとも1つの窓を設け、窓の開口面積が、整流筒の下端より50~200mmの領域の表面積の50%以上を占めるものであることを特徴とする単結晶製造装置である。これにより、単結晶から熱の放射が遮られるのを抑制し、単結晶の冷却効果を向上することができる単結晶製造装置が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)