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1. (WO2010001054) PROCEDE DE PREPARATION D'UN FILM ISOLANT ELECTRIQUE ET APPLICATION POUR LA METALLISATION DE VIAS TRAVERSANTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/001054    N° de la demande internationale :    PCT/FR2009/051279
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 01.07.2009
CIB :
C09D 5/44 (2006.01), C25D 7/12 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01)
Déposants : ALCHIMER [FR/FR]; 15, rue du Buisson aux Fraises Z.I. de la Bonde F-91300 Massy (FR) (Tous Sauf US).
MEVELLEC, Vincent [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
GONZALEZ, José [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
SUHR, Dominique [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : MEVELLEC, Vincent; (FR).
GONZALEZ, José; (FR).
SUHR, Dominique; (FR)
Mandataire : HUBERT, Philippe; (FR)
Données relatives à la priorité :
0854442 01.07.2008 FR
Titre (EN) METHOD OF PREPARING AN ELECTRICAL INSULATION FILM AND APPLICATION FOR THE METALLIZATION OF THROUGH-VIAS
(FR) PROCEDE DE PREPARATION D'UN FILM ISOLANT ELECTRIQUE ET APPLICATION POUR LA METALLISATION DE VIAS TRAVERSANTS
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates essentially to a method of preparing an electrical insulating film on the surface of an electrically conducting or semi­conducting substrate, such as a silicon substrate. According to the invention, this method comprises the following: a) said surface is brought into contact with a liquid solution comprising: a protic solvent, at least one diazonium salt, at least one in-chain polymerizable monomer soluble in said protic solvent, and at least one acid in an amount sufficient to stabilize said diazonium salt by adjusting the pH of said solution to a value below 7, preferably below 2.5; and b) said surface is polarized in pulse potentiostatic or galvanostatic mode for a time sufficient to form a film having a thickness of at least 60 nanometres, and preferably between 80 and 500 nanometres. Application: metallization of through-vias, especially for 3‑D integrated circuits.
(FR)La présente invention concerne essentiellement un procédé de préparation d'un film isolant électrique à la surface d'un substrat conducteur ou semiconducteur de l'électricité, tel qu'un substrat de silicium. Selon l'invention, ce procédé comprend : a) la mise en contact de ladite surface avec une solution liquide comprenant : un solvant protique; au moins un sel de diazonium; au moins un monomère polymérisable en chaîne et soluble dans ledit solvant protique; au moins un acide en une quantité suffisante pour stabiliser ledit sel de diazonium par ajustement du pH de ladite solution à une valeur inférieure à 7, de préférence inférieure à 2,5; b) la polarisation de ladite surface selon un mode potentio- ou galvano-pulsé pendant une durée suffisante pour former un film présentant une épaisseur d'au moins 60 nanomètres, et de préférence comprise entre 80 et 500 nanomètres. Application : Métallisation de vias traversants, notamment de circuits intégrés 3D.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)