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1. (WO2009149841) CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2009/149841 N° de la demande internationale : PCT/EP2009/003859
Date de publication : 17.12.2009 Date de dépôt international : 29.05.2009
CIB :
H01L 31/18 (2006.01) ,H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/05 (2006.01) ,H01L 31/068 (2012.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0224
Electrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
042
comprenant un panneau ou une matrice de cellules photovoltaïques, p.ex. des cellules solaires
05
caractérisés par des moyens d'interconnexion particuliers
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
06
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
068
les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin
Déposants :
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27c 80686 München, DE (AllExceptUS)
BIRO, Daniel [DE/DE]; DE (UsOnly)
CLEMENT, Florian [DE/DE]; DE (UsOnly)
SCHULTZ-WITTMANN, Oliver [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs :
BIRO, Daniel; DE
CLEMENT, Florian; DE
SCHULTZ-WITTMANN, Oliver; DE
Mandataire :
DICKER, Jochen; Lemcke, Brommer & Partner Bismarckstrasse 16 76133 Karlsruhe, DE
Données relatives à la priorité :
10 2008 027 780.011.06.2008DE
Titre (DE) SOLARZELLE UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) SOLAR CELL AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé :
(DE) Die Erfindung betrifft eine Solarzelle, umfassend ein Halbleitersubstrat mit einer Vorder- und einer im Wesentlichen dazu parallelen Rückseite, eine Vorderseitenmetallisierung und eine Rückseitenmetallisierung und mindestens drei Dotierbereiche mit mindestens zwei unterschiedlichen Leitfähigkeittypen, an der Vorderseite des Halbleitersubstrates ist ein erster, sich im wesentlichen über die gesamte Vorderseite erstreckender Dotierbereich eines ersten Leitfähigkeittyps angeordnet, an der Rückseite des Halbleitersubstrates ist ein zweiter, sich teilweise über die Rückseite erstreckender Dotierbereich eines zweiten, zu dem ersten Leitfähigkeittyps entgegengesetzten Leitfähigkeittyps angeordnet und an der Rückseite ist ein dritter, sich teilweise über die Rückseite erstreckender Dotierbereich des ersten Leitfähigkeittyps angeordnet, wobei die Vorderseitenmetallisierung mit dem ersten Dotierbereich und die Rückseitenmetallisierung mit dem zweiten Dotierbereich elektrisch leitend verbunden ist und die Solarzelle eine elektrisch leitende Verbindung aufweist, welche den dritten Dotierbereich mit der Vorderseitenmetallisierung und/oder dem ersten Dotierbereich elektrisch leitend verbindet.
(EN) The invention relates to a solar cell comprising a semiconductor substrate with a front face and a rear face running substantially parallel thereto, a front face metallisation, a rear face metallisation and at least three doped regions having at least two different conductivity types: a first doped region with a first conductivity type is located on the front face of the semiconductor substrate and extends substantially over the entire front face; a second doped region with the opposite conductivity type to that of the first conductivity type is located on the rear face and extends partially over said face; and a third doped region with the first conductivity type is located on the rear face and extends partially over said face. The front face metallisation is connected to the first doped region and the rear face metallisation is connected to the second doped region in an electrically conductive manner and the solar cell has an electrically conductive connection which connects the third doped region to the front face metallisation and/or the first doped region.
(FR) La présente invention concerne une cellule solaire comprenant un substrat semi-conducteur qui présente une face avant et une face arrière sensiblement parallèle à la face avant, une métallisation de face avant, une métallisation de face arrière et au moins trois régions de dopage présentant au moins deux types de conductivité différents : une première région de dopage d'un premier type de dopage, qui s'étend sensiblement sur toute la face avant du substrat semi-conducteur, une deuxième région de dopage d'un second type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, qui s'étend partiellement sur la face arrière du substrat semi-conducteur, ainsi qu'une troisième région de dopage du premier type de conductivité, qui s'étend partiellement sur la face arrière du substrat semi-conducteur. La métallisation de face avant est reliée de façon électroconductrice à la première région de dopage et la métallisation de face arrière est reliée de façon électroconductrice à la deuxième région de dopage. La cellule solaire présente une liaison électroconductrice qui permet de relier de façon électroconductrice la troisième région de dopage à la métallisation de face avant et/ou à la première région de dopage.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Allemand (DE)
Langue de dépôt : Allemand (DE)
Également publié sous:
EP2289107JP2011524088US20110155239CN102257642IN4749/KOLNP/2010