WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009142246) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET LAMPE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/142246    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/059286
Date de publication : 26.11.2009 Date de dépôt international : 20.05.2009
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Déposants : SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (Tous Sauf US).
SHINOHARA Hironao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKUNAGA Naoki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHINOHARA Hironao; (JP).
FUKUNAGA Naoki; (JP)
Mandataire : SHIGA Masatake; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-131882 20.05.2008 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND LAMP
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET LAMPE
(JA) 半導体発光素子及びその製造方法、ランプ
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor light emitting element (1) is provided with a substrate (101); an interlayer semiconductor layer (20) wherein an n-type semiconductor layer (104), a light emitting layer (105), and a p-type semiconductor layer (106) are sequentially formed on the substrate (101); and a translucent electrode layer (109) formed on an upper surface (106a) of the p-type semiconductor layer (106).  In the semiconductor element (1), a translucent electrode layer (109) contains a dopant element, and the content of the dopant element in the translucent electrode layer (109) gradually reduces toward an interface (109a) between the p-type semiconductor layer (106) and the translucent electrode layer (109).  In the translucent electrode layer (109), a diffusion region where the element constituting the p-type semiconductor layer (106) from the interface (109a) toward the inside of the translucent electrode layer (109) is formed.
(FR)L'invention porte sur un élément électroluminescent à semi-conducteur (1) qui est pourvu d’un substrat (101) ; d’une couche semi-conductrice intermédiaire (20), une couche semi-conductrice du type n (104), une couche électroluminescente (105) et une couche semi-conductrice du type p (106) étant séquentiellement formées sur le substrat (101), et une couche d'électrode translucide (109) formée sur une surface supérieure (106a) de la couche semi-conductrice du type p (106). Dans l'élément à semi-conducteur (1), une couche d'électrode translucide (109) contient un élément dopant, et la concentration de l'élément dopant dans la couche d'électrode translucide (109) décroît progressivement vers une interface (109a) entre la couche semi-conductrice du type p (106) et la couche d'électrode translucide (109). Dans la couche d'électrode translucide (109), une région de diffusion est formée, dans laquelle l'élément constituant la couche semi-conductrice du type p (106) s’étend de l’interface (109a) vers l’intérieur de la couche d'électrode translucide (109).
(JA) 本発明の半導体発光素子(1)は、基板(101)と、基板(101)上にn型半導体層(104)と発光層(105)とp型半導体層(106)とが順次形成されてなる積層半導体層(20)と、p型半導体層(106)の上面(106a)に形成された透光性電極層(109)とを具備する半導体発光素子(1)であって、透光性電極層(109)が、ドーパント元素を含み、透光性電極層(109)中のドーパント元素の含有量が、p型半導体層(106)と透光性電極層(109)との界面(109a)に近づくに従って徐々に減少しており、透光性電極層(109)に、界面(109a)から透光性電極層(109)内に向かってp型半導体層(106)を構成する元素が拡散してなる拡散領域が形成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)