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1. (WO2009139680) DECOUPLAGE DE BANDE DE BASE DE TRANSISTORS DE PUISSANCE RADIOFREQUENCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/139680    N° de la demande internationale :    PCT/SE2008/051335
Date de publication : 19.11.2009 Date de dépôt international : 21.11.2008
CIB :
H03F 1/56 (2006.01), H03F 1/32 (2006.01), H03F 3/191 (2006.01), H03F 3/195 (2006.01), H03H 7/38 (2006.01), H03F 1/30 (2006.01)
Déposants : TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL) [SE/SE]; S-164 83 Stockholm (SE) (Tous Sauf US).
RIDELL VIRTANEN, Lars [SE/SE]; (SE) (US Seulement).
FONDÉN, Tony [SE/SE]; (SE) (US Seulement)
Inventeurs : RIDELL VIRTANEN, Lars; (SE).
FONDÉN, Tony; (SE)
Mandataire : NILSSON, Charlotte; Ericsson AB Patent Unit 3G S-164 80 Stockholm (SE)
Données relatives à la priorité :
61/053,700 16.05.2008 US
Titre (EN) BASEBAND DECOUPLING OF RADIO FREQUENCY POWER TRANSISTORS
(FR) DECOUPLAGE DE BANDE DE BASE DE TRANSISTORS DE PUISSANCE RADIOFREQUENCES
Abrégé : front page image
(EN)A power amplifier (30) including a transistor (10) having an input and an output and configured to amplify an input signal when applied to the input, and a shunt inductor matching branch (24) connected to the output of the transistor and configured to prevent a direct current flowing through the branch. The shunt inductor matching branch (24) includes a first inductor (L2) and a DC-blocking capacitor (C4), the DC-blocking capacitor (C4) having a large capacitance such that a baseband resonance frequency of the power amplifier (30) is decreased comparative to a similar power amplifier with a smaller capacitance and an amplitude of a resonance impedance of the power amplifier (30) is decreased relative to a resonance of the similar power amplifier with the smaller capacitance.
(FR)L’invention concerne un amplificateur de puissance (30) comprenant : un transistor (10) pourvu d’une entrée et d’une sortie, configuré pour amplifier un signal d’entrée lorsqu’il est appliqué sur l’entrée; et une branche d’adaptation de bobine d’induction en dérivation (24) connectée à la sortie du transistor et configurée pour empêcher un courant continu de passer dans la branche d’adaptation. La branche d’adaptation de bobine d’induction en dérivation (24) comprend une première bobine d’induction (L2) et un condensateur à blocage de courant continu (C4), le condensateur (C4) ayant une grande capacitance, de sorte qu’une fréquence de résonance de bande de base de l’amplificateur de puissance (30) soit réduite par rapport à un amplificateur de puissance similaire à capacitance inférieure et qu’une amplitude d’impédance de résonance de l’amplificateur de puissance (30) soit réduite par rapport à la résonance d’un amplificateur de puissance similaire à capacitance inférieure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)