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1. (WO2009139574) DISPOSITIF DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ DE GESTION D'ERREUR DE DONNÉES EN MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/139574    N° de la demande internationale :    PCT/KR2009/002530
Date de publication : 19.11.2009 Date de dépôt international : 13.05.2009
CIB :
G11C 16/04 (2006.01), G11C 16/06 (2006.01), G06F 7/32 (2006.01)
Déposants : SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 416, Maetan-dong Yeongtong-gu Suwon-si Gyeonggi-do 443-742 (KR) (Tous Sauf US)
Inventeurs : KIM, Yong June; (KR).
KIM, Jae Hong; (KR).
KONG, Jun Jin; (KR).
CHO, Kyoung Lae; (KR)
Mandataire : MUHANN PATENT & LAW FIRM; 2, 5, 6th Floor, Myeonglim Building 51-8 Nonhyeon-dong Gangnam-gu Seoul 135-814 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2008-0044964 15.05.2008 KR
Titre (EN) MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANAGING MEMORY DATA ERROR
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ DE GESTION D'ERREUR DE DONNÉES EN MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)Memory devices and/or methods of managing memory data errors are provided. A memory device detects and corrects an error bit of data read from a plurality of memory cells, and identifies a memory cell storing the detected error bit. The memory device assigns a verification voltage to each of the plurality of first memory cells, the assigned verification voltage corresponding to the corrected bit for the identified memory cell, the assigned verification voltage corresponding to the read data for the remaining memory cells. The memory device readjusts the data stored in the plurality of memory cells using the assigned verification voltage. Through this, it is possible to increase a retention period of the data of the memory device.
(FR)L'invention porte sur des dispositifs de mémoire et/ou des procédés de gestion d'erreurs de données en mémoire. Un dispositif de mémoire détecte et corrige un bit erroné de données lues à partir d'une pluralité de cellules de mémoire, et identifie une cellule de mémoire stockant le bit erroné détecté. Le dispositif de mémoire attribue une tension de vérification à chacune de la pluralité de premières cellules de mémoire, la tension de vérification attribuée correspondant au bit corrigé pour la cellule de mémoire identifiée, la tension de vérification attribuée correspondant aux données lues pour les cellules de mémoire restantes. Le dispositif de mémoire réajuste les données stockées dans la pluralité de cellules de mémoire en utilisant la tension de vérification attribuée. Il est ainsi possible d'augmenter une période de conservation des données du dispositif de mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)