WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009139472) SUBSTRAT POUR MODULE DE PUISSANCE, MODULE DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT POUR MODULE DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/139472    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/059089
Date de publication : 19.11.2009 Date de dépôt international : 15.05.2009
CIB :
H01L 23/36 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117 (JP) (Tous Sauf US).
KUROMITSU Yoshirou [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AKIYAMA Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KITAHARA Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TONOMURA Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KUROMITSU Yoshirou; (JP).
AKIYAMA Kazuhiro; (JP).
KITAHARA Takeshi; (JP).
TONOMURA Hiroshi; (JP)
Mandataire : SHIGA Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku Tokyo 1006620 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-129668 16.05.2008 JP
2008-129669 16.05.2008 JP
2008-129670 16.05.2008 JP
Titre (EN) SUBSTRATE FOR POWER MODULE, POWER MODULE, AND METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE FOR POWER MODULE
(FR) SUBSTRAT POUR MODULE DE PUISSANCE, MODULE DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT POUR MODULE DE PUISSANCE
(JA) パワーモジュール用基板、パワーモジュール、及びパワーモジュール用基板の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a substrate for power modules, which comprises a ceramic substrate (11) composed of AlN, Si3N4 or Al2O3 and having surfaces; metal plates (12, 13) which are composed of pure aluminum and joined to the surfaces of the ceramic substrate (11) through a solder material containing silicon; and high concentration sections (32) which are formed in junction interfaces (30) at which the metal plates (12, 13) and the ceramic substrate (11) are joined with each other and have a silicon concentration not less than 5 times the silicon concentration in the metal plates (12, 13), or high concentration sections (32) which are formed in junction interfaces (30) at which the metal plates (12, 13) and the ceramic substrate (11) are joined with each other and have an oxygen concentration higher than the oxygen concentrations in the metal plates (12, 13) and the substrate (11), while having a thickness of not more than 4 nm.
(FR)L'invention porte sur un substrat pour modules de puissance, qui comprend un substrat céramique (11) composé de AlN, Si3N4 ou Al2O3 et ayant des surfaces; des plaques métalliques (12, 13) qui sont composées d'aluminium pur et jointes aux surfaces du substrat céramique (11) par l'intermédiaire d'un matériau de soudure contenant du silicium; et des sections à concentration élevée (32) qui sont formées dans des interfaces de jonction (30) au niveau desquelles les plaques métalliques (12, 13) et le substrat céramique (11) sont joints mutuellement et qui ont une concentration en silicium égale ou supérieure à 5 fois la concentration en silicium dans les plaques métalliques (12, 13), ou des sections à concentration élevée (32) qui sont formées dans des interfaces de jonction (30) au niveau desquelles les plaques métalliques (12, 13) et le substrat céramique (11) sont joints mutuellement et qui ont une concentration en oxygène supérieure aux concentrations en oxygène dans les plaques métalliques (12, 13) et le substrat (11), tout en ayant une épaisseur égale ou inférieure à 4 nm.
(JA) このパワーモジュール用基板は、AlN、Si又はAlからなり、表面を有するセラミックス基板(11)と、前記セラミックス基板(11)の前記表面にケイ素を含有するろう材を介して接合される純アルミニウムからなる金属板(12,13)と、前記金属板(12,13)と前記セラミックス基板(11)とが接合される接合界面(30)に形成され、前記金属板(12,13)中のケイ素濃度の5倍以上であるケイ素濃度を有する高濃度部(32)又は、前記金属板中(12,13)及び前記セラミックス基板(11)中の酸素濃度よりも高い酸素濃度を有し、厚さが4nm以下である高濃度部(32)と、を含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)