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1. (WO2009138759) MODULATEUR DOUBLE FONCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/138759    N° de la demande internationale :    PCT/GB2009/001228
Date de publication : 19.11.2009 Date de dépôt international : 14.05.2009
CIB :
H04L 27/20 (2006.01)
Déposants : CAMBRIDGE SILICON RADIO LIMITED [GB/GB]; Churchill House Cambridge Business Park Cowley Road Cambridge Cambridgeshire CB4 OWZ (GB) (Tous Sauf US).
CHAPPAZ, David Franck [FR/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : CHAPPAZ, David Franck; (GB)
Mandataire : WALLIN, Nicholas James; WITHERS & ROGERS LLP Goldings House 2 Hays Lane London SEl 2HW (GB)
Données relatives à la priorité :
0808886.6 15.05.2008 GB
Titre (EN) DUAL PURPOSE MODULATOR
(FR) MODULATEUR DOUBLE FONCTION
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a single modulator capable of transmitting an input according to a first and a second modulation technique. The first modulation technique represents changes in the input using a first set of carrier waveform parameters, such as phase variations, whereas the second modulation technique represents changes in the input using a second set of carrier waveform parameters, such as alternative phase variations. The present invention performs both modulation techniques by expressing the second set of carrier waveform parameters as a subset of the first set of carrier waveform parameters. In a preferred embodiment, the first and second modulation techniques comprise the π/2-offset 2PSK (a good approximation of differential GMSK) and 3π/8- offset 8PSK (also known as EDGE) modulation techniques.
(FR)L'invention concerne un modulateur unique capable de transmettre une entrée selon des première et seconde techniques de modulation. La première technique de modulation représente des modifications dans l'entrée au moyen d'un premier ensemble de paramètres de forme d'onde porteuse, tels que des variations de phase, tandis que la seconde technique de modulation représente des modifications dans l'entrée au moyen d'un second ensemble de paramètres de forme d'onde porteuse, tels que d'autres variations de phase. La présente invention exécute les deux techniques de modulation en exprimant le second ensemble de paramètres de forme d'onde sous la forme d'un sous-ensemble du premier ensemble de paramètres de forme d'onde porteuse. Dans un mode de réalisation préféré, les première et seconde techniques de modulation comprennent les techniques de modulation 2PSK à décalage π/2 (une bonne approximation de la modulation GMSK différentielle) et 8PSK à décalage 3π/8 (également connue sous le nom de EDGE).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)