WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009137199) PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE NITRURE DE BORE ET DE MATÉRIAUX DÉRIVÉS DE NITRURE DE BORE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/137199    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/039356
Date de publication : 12.11.2009 Date de dépôt international : 02.04.2009
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
BALSEANU, Mihaela [RO/US]; (US) (US Seulement).
BENCHER, Christopher, Dennis [US/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Yongmei [CN/US]; (US) (US Seulement).
ROFLOX, Isabelita [PH/US]; (US) (US Seulement).
XIA, Li-qun [US/US]; (US) (US Seulement).
WITTY, Derek, R. [US/US]; (US) (US Seulement).
MIAO, Li Yan [US/US]; (US) (US Seulement).
NGUYEN, Victor [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BALSEANU, Mihaela; (US).
BENCHER, Christopher, Dennis; (US).
CHEN, Yongmei; (US).
ROFLOX, Isabelita; (US).
XIA, Li-qun; (US).
WITTY, Derek, R.; (US).
MIAO, Li Yan; (US).
NGUYEN, Victor; (US)
Mandataire : PATTERSON, B., Todd; (US)
Données relatives à la priorité :
61/042,638 04.04.2008 US
Titre (EN) BORON NITRIDE AND BORON-NITRIDE DERIVED MATERIALS DEPOSITION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE NITRURE DE BORE ET DE MATÉRIAUX DÉRIVÉS DE NITRURE DE BORE
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus are provided to form spacer materials adjacent substrate structures. In one embodiment, a method is provided for processing a substrate including placing a substrate having a substrate structure adjacent a substrate surface in a deposition chamber, depositing a spacer layer on the substrate structure and substrate surface, and etching the spacer layer to expose the substrate structure and a portion of the substrate surface, wherein the spacer layer is disposed adjacent the substrate structure. The spacer layer may comprise a boron nitride material. The spacer layer may comprise a base spacer layer and a liner layer, and the spacer layer may be etched in a two-step etching process.
(FR)L’invention concerne un procédé et un appareil pour former de matériaux espaceurs adjacents à des structures de substrat. Dans un mode de réalisation, un procédé est proposé pour traiter un substrat comprenant le placement d’un substrat ayant une structure de substrat adjacente à une surface de substrat dans une chambre de dépôt, le dépôt d’une couche d’espaceur sur la structure de substrat et une surface de substrat, et la gravure de la couche d’espaceur pour exposer la structure de substrat et une partie de la surface de substrat, la couche d’espaceur étant disposée adjacente à la structure de substrat. La couche d’espaceur peut comprendre un matériau nitrure de bore. La couche d’espaceur peut comprendre une couche d’espaceur de base et une couche de doublure, et la couche d’espaceur peut être gravée dans un procédé de gravure à deux étapes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)