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1. (WO2009136110) PROCEDE DE DÉPÔT DE COUCHE MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/136110    N° de la demande internationale :    PCT/FR2009/050658
Date de publication : 12.11.2009 Date de dépôt international : 10.04.2009
CIB :
C03C 17/34 (2006.01), C03C 17/36 (2006.01), C03C 17/245 (2006.01)
Déposants : SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE [FR/FR]; 18 avenue d'Alsace F-92400 Courbevoie (FR) (Tous Sauf US).
DURANDEAU, Anne [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
KHARCHENKO, Andriy [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
NADAUD, Nicolas [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : DURANDEAU, Anne; (FR).
KHARCHENKO, Andriy; (FR).
NADAUD, Nicolas; (FR)
Mandataire : SAINT-GOBAIN RECHERCHE; 39 quai Lucien Lefranc F-93300 Aubervilliers (FR)
Données relatives à la priorité :
0852454 11.04.2008 FR
Titre (EN) METHOD FOR THIN LAYER DEPOSITION
(FR) PROCEDE DE DÉPÔT DE COUCHE MINCE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for obtaining a material including a substrate and at least one thin layer that contains an at least partially crystallised titanium oxide and is deposited on a first surface of said substrate, wherein said method comprises the following steps: depositing said at least one thin layer containing titanium oxide; subjecting said at least one thin layer containing titanium oxide to a crystallisation process by supplying a power capable of heating each point of said at least one thin layer containing titanium oxide to a temperature of at least 300°C while maintaining a temperature lower than or equal to 150°C at any point of the surface of said substrate opposite said first surface, wherein said crystallisation process is preceded by the step of depositing, on and/or under said thin layer containing titanium oxide, a power-providing layer capable of absorbing the energy supplied during said crystallisation process more efficiently than said at least one thin layer containing titanium oxide, and/or capable of generating an additional power during said crystallisation process and of transmitting at least a portion of said energy to said at least one thin layer containing titanium oxide during said crystallisation process.
(FR)L'invention a pour objet un procédé d'obtention d'un matériau comprenant un substrat et au moins une couche mince à base d'oxyde de titane au moins partiellement cristallisé et déposée sur une première face dudit substrat, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : on dépose ladite au moins une couche mince à base d'oxyde de titane; on soumet ladite au moins une couche mince à base d'oxyde de titane à un traitement de cristallisation en apportant une énergie susceptible de porter chaque point de ladite au moins une couche mince à base d'oxyde de titane à une température d'au moins 300°C tout en maintenant une température inférieure ou égale à 150°C en tout point de la face dudit substrat opposée à ladite première face; ledit traitement de cristallisation étant précédé d'une étape de dépôt, au-dessus et/ou en dessous de ladite couche mince à base d'oxyde de titane, d'une couche pourvoyeuse d'énergie, susceptible d'absorber l'énergie apportée lors dudit traitement de cristallisation plus efficacement que ladite au moins une couche d'oxyde de titane et/ou de créer une énergie supplémentaire lors dudit traitement de cristallisation, et de transmettre au moins une partie de ladite énergie à ladite au moins une couche mince à base d'oxyde de titane lors dudit traitement de cristallisation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)