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1. (WO2009133688) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN TRANSDUCTEUR PHOTOÉLECTRIQUE ET TRANSDUCTEUR PHOTOÉLECTRIQUE OBTENU PAR CE PROCÉDÉ, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MODULE DE TRANSDUCTEUR PHOTOÉLECTRIQUE ET MODULE DE TRANSDUCTEUR PHOTOÉLECTRIQUE OBTENU PAR CE PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/133688    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/001908
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 27.04.2009
CIB :
H01M 14/00 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : FUJIKURA LTD. [JP/JP]; 5-1, kiba 1-chome, Koto-ku, Tokyo 1350042 (JP) (Tous Sauf US).
USUI, Hiroki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : USUI, Hiroki; (JP)
Mandataire : AOKI, Hiroaki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-116965 28.04.2008 JP
2009-040391 24.02.2009 JP
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD FOR PHOTOELECTRIC TRANSDUCER, PHOTOELECTRIC TRANSDUCER MANUFACTURED THEREBY, MANUFACTURING METHOD FOR PHOTOELECTRIC TRANSDUCER MODULE, AND PHOTOELECTRIC TRANSDUCER MODULE MANUFACTURED THEREBY
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN TRANSDUCTEUR PHOTOÉLECTRIQUE ET TRANSDUCTEUR PHOTOÉLECTRIQUE OBTENU PAR CE PROCÉDÉ, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MODULE DE TRANSDUCTEUR PHOTOÉLECTRIQUE ET MODULE DE TRANSDUCTEUR PHOTOÉLECTRIQUE OBTENU PAR CE PROCÉDÉ
(JA) 光電変換素子の製造方法、及び、それにより製造される光電変換素子、及び、光電変換素子モジュールの製造方法、及び、それにより製造される光電変換素子モジュール
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a manufacturing method for a photoelectric transducer that can easily manufacture a photoelectric transducer comprising a terminal that is strongly bonded to a titanium electrode.  The manufacturing method of a photoelectric transducer (100) comprises: a semiconductor-forming process for forming a porous oxide semiconductor layer (3) either on the surface of a catalyst layer (6) of a first electrode (10) containing both a metal plate (4) composed of either titanium or a metal alloy that includes titanium and the catalyst layer (6), or on the surface of a transparent conductor (1) of a second electrode (20) containing the transparent conductor (1); a dye-supporting process that causes the porous oxide semiconductor layer (3) to support a photosensitizing dye; a sealing process that surrounds and seals the porous oxide semiconductor layer (3) and an electrolyte (5) with a sealing material (14) between the first electrode (10) and the second electrode (20); and a terminal-forming process that forms a terminal (7) on the metal plate (4), wherein in the terminal-forming process, the terminal (7) is characterized by being formed when a high-melting-point solder is heated and fused while an ultrasonic wave is applied.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un transducteur photoélectrique permettant de produire facilement un transducteur photoélectrique présentant une borne solidement reliée à une électrode contenant du titane. L'invention concerne un procédé de production d'un transducteur photoélectrique (100). Ce procédé comprend: un procédé de formation de semiconducteur destiné à former une couche semiconductrice d'oxyde poreux (3) sur une surface d'une couche catalytique (6) d'une première électrode (10) présentant une plaque métallique (4) contenant du titane ou un alliage contenant du titane, ou sur une surface d'un conducteur transparent (1) d'une seconde électrode (20) présentant ledit conducteur transparent (1); un procédé de consitution de support de matière colorante permettant que la couche semiconductrice d'oxyde poreux (3) constitue un support destiné à la matière colorante photosensible; un procédé d'étanchéification destiné à envelopper la couche semiconductrice d'oxyde poreux (3) et un électrolyte (5) et à réaliser l'étanchéité de ces derniers entre la première électrode (5) et la seconde électrode (20) à l'aide d'un élément d'étanchéité (14); et un procédé de formation d'une borne (7) sur la plaque métallique (4), dans lequel le terminal (7) est formé par chauffage d'un fil de soudure présentant un point de fusion élevé, fondu, puis soumis à des ondes ultrasonores pendant le procédé de formation de ladite borne.
(JA)【課題】 チタンを用いる電極と強固に接合する端子を備える光電変換素子を容易に製造可能な光電変換素子の製造方法等を提供する。 【解決手段】 光電変換素子100の製造方法は、チタン或いはチタンを含む合金からなる金属板4と触媒層6とを有する第1電極10における触媒層6の表面上、又は、透明導電体1を有する第2電極20の透明導電体1の表面上に、多孔質酸化物半導体層3を形成する半導体形成工程と、多孔質酸化物半導体層3に光増感色素を担持させる色素担持工程と、第1電極10と第2電極20との間に多孔質酸化物半導体層3及び電解質5を封止材14により包囲して封止する封止工程と、金属板4上に端子7を形成する端子形成工程とを備え、端子形成工程において、端子7は、高融点はんだが加熱されて溶融されると共に超音波が印加されて形成されることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)