WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009117255) REVÊTEMENT EN TUNGSTÈNE POUR STRUCTURE D’INTERCONNEXION À BASE D’ALUMINIUM RÉSISTANTE À L’ÉLECTROMIGRATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/117255    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/036091
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 05.03.2009
CIB :
H01L 21/4763 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
CHAPPLE-SOKOL, Jonathan, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
DELIBAC, Daniel, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
ZHONG-XIANG, He [US/US]; (US) (US Seulement).
LEE, Tom, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
MURPHY, William, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
SULLIVAN, Timothy, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
THOMAS, David, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
VANSLETTE, Daniel, S. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHAPPLE-SOKOL, Jonathan, D.; (US).
DELIBAC, Daniel, A.; (US).
ZHONG-XIANG, He; (US).
LEE, Tom, C.; (US).
MURPHY, William, J.; (US).
SULLIVAN, Timothy, D.; (US).
THOMAS, David, C.; (US).
VANSLETTE, Daniel, S.; (US)
Mandataire : KOTULAK, Richard; International Business Machines Corporation, Intellectual Property Law 972e, 1000 River Street, Essex Junction, VT 05452 (US)
Données relatives à la priorité :
12/049,698 17.03.2008 US
Titre (EN) TUNGSTEN LINER FOR ALUMINUM-BASED ELECTROMIGRATION RESISTANT INTERCONNECT STRUCTURE
(FR) REVÊTEMENT EN TUNGSTÈNE POUR STRUCTURE D’INTERCONNEXION À BASE D’ALUMINIUM RÉSISTANTE À L’ÉLECTROMIGRATION
Abrégé : front page image
(EN)An underlying interconnect level containing underlying W vias embedded in a dielectric material layer are formed on a semiconductor substrate. A metallic layer stack (360L, Figure 5) comprising, from bottom to top, a low-oxygen-reactivity metal layer (10), a bottom transition metal layer (20), a bottom transition metal nitride layer (30), an aluminum-copper layer (40), an optional top transition metal layer (50), and a top transition metal nitride layer (60). The metallic layer stack is lithographically patterned to form at least one aluminum-based metal line, which constitutes a metal interconnect structure. The low-oxygen- reactivity metal layer enhances electromigration resistance of the at least one aluminum-based metal line since formation of compound between the bottom transition metal layer and the dielectric material layer is prevented by the low-oxygen-reactivity metal layer, which does not interact with the dielectric material layer.
(FR)La présente invention concerne un niveau d’interconnexion sous-jacent contenant des trous d’interconnexion en W sous-jacents noyés dans une couche de matériau diélectrique, ledit niveau étant formé sur un substrat semi-conducteur. Un empilement de couches métalliques (360L, Figure 5) comprenant, de bas en haut, une couche d’un métal faiblement réactif avec l’oxygène (10), une couche inférieure d’un métal de transition (20), une couche inférieure d’un nitrure de métal de transition (30), une couche d’aluminium-cuivre (40), une couche supérieure optionnelle d’un métal de transition (50), et une couche supérieure d’un nitrure de métal de transition (60). L’empilement de couches métalliques est structuré par lithographie pour former au moins une ligne métallique à base d'aluminium, qui constitue une structure d'interconnexion métallique. La couche du métal faiblement réactif avec l'oxygène augmente la résistance à l'électromigration de la ou des lignes métalliques à base d’aluminium puisque ladite couche, grâce à son absence d’interaction avec la couche de matériau diélectrique, empêche la formation d’un composé entre la couche inférieure d’un métal de transition et la couche de matériau diélectrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)