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1. (WO2009117181) ENSEMBLE D’ÉLECTRODE ET CHAMBRE DE TRAITEMENT AU PLASMA UTILISANT UN JOINT THERMOCONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/117181    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/033060
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 04.02.2009
CIB :
H05H 1/34 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538-6401 (US) (Tous Sauf US).
PATRICK, Roger [GB/US]; (US) (US Seulement).
DHINDSA, Rajinder [US/US]; (US) (US Seulement).
BETTENCOURT, Greg [US/US]; (US) (US Seulement).
MARAKHTANOV, Alexei [RU/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PATRICK, Roger; (US).
DHINDSA, Rajinder; (US).
BETTENCOURT, Greg; (US).
MARAKHTANOV, Alexei; (US)
Mandataire : BEYER, James, E.; Dinsmore & Shohl LLP, One South Main Street, One Dayton Centre, Suite 1300, Dayton, OH 45402-2023 (US)
Données relatives à la priorité :
12/050,195 18.03.2008 US
Titre (EN) ELECTRODE ASSEMBLY AND PLASMA PROCESSING CHAMBER UTILIZING THERMALLY CONDUCTIVE GASKET
(FR) ENSEMBLE D’ÉLECTRODE ET CHAMBRE DE TRAITEMENT AU PLASMA UTILISANT UN JOINT THERMOCONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates generally to plasma processing and, more particularly, to plasma processing chambers and electrode assemblies used therein. According to one embodiment of the present invention, an electrode assembly is provided comprising a thermal control plate, a silicon-based showerhead electrode, and a thermally conductive gasket, wherein respective profiles of a frontside of the thermal control plate and a backside of the showerhead electrode cooperate to define a disjointed thermal interface comprising portions proximal to showerhead passages of the showerhead electrode and portions displaced from the showerhead passages. The displaced portions are recessed relative to the proximal portions and are separated from the showerhead passages by the proximal portions of the thermal interface. The gasket is positioned along the displaced portions such that the gasket is isolated from the showerhead passages and may facilitate heat transfer across the thermal interface from the showerhead electrode to the thermal control plate.
(FR)La présente invention concerne généralement le traitement au plasma et, plus particulièrement, des chambres de traitement au plasma et des ensembles d’électrode utilisés dans ces chambres. Selon un mode de réalisation de la présente invention, un ensemble d’électrode est prévu, comprenant une plaque de régulation thermique, une électrode de pomme d’arrosoir à base de silicium, et un joint thermoconducteur, les profils respectifs d’un côté avant de la plaque de régulation thermique et d’un côté arrière de l’électrode de pomme d’arrosoir coopérant pour définir une interface thermique disjointe comprenant des parties à proximité des passages de pomme d’arrosoir de l’électrode de pomme d’arrosoir et des parties décalées des passages de pomme d’arrosoir. Les parties décalées sont en retrait par rapport aux parties proximales et sont séparées des passages de pomme d’arrosoir par les parties proximales de l’interface thermique. Le joint est positionné le long des parties décalées de sorte que le joint est isolé des passages de pomme d’arrosoir et peut faciliter le transfert de chaleur à travers l’interface thermique de l’électrode de pomme d’arrosoir à la plaque de régulation thermique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)